单片机控制实时时钟的设计与实现

文中给出了ＤＳ１２８８７ 的引脚功能，阐述了它的内部ＲＡＭ 结构及控制寄存器的功能．作为ＤＳ１２８８７ 的一个典型应用，介绍了它与８０３１ 单片机构成的实时时钟系统电路设计     

十六点可燃性气体状态检测系统中在线两键实时时钟的实现

在可燃性气体状态监测中 ,要求能够准确获取当前状态的浓度值 ,当超标时能给出报警信号及当前报警时刻 ,这就涉及到一个实时时钟的问题。文中详细论述了实时时钟的实现及如何利用二个按键来实现在线年月日时分秒的校准。     

封面说明

<正>在半导体中注入自旋形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体可以制成自旋阀、自旋二极管、高密度非易失性存储器以及磁感应器等新型的功能器件,具有诱人的应用前景.但是向传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中掺杂存在两点不足.首先,传统的稀磁半导体在引入自旋的同时也引入了载流子,这种自旋和电荷的捆绑效应严重制约了电性和磁性的调控维度.其次,基于掺杂中的不等价代     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．     

基于非易失性存储阵列的实时数据记录卡设计

针对遥测领域记录器出现的容量有限、连续记录速率慢和掉电再上电传输中断问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)和非易失性存储芯片的实时数据记录卡。首先介绍了NAND Flash(NAND闪存)存储芯片的结构,通过有效的坏块管理、ECC(error checking and correcting)校验和掉电信息保存法,减小了系统资源利用率,实现了实时数据的高速存储以及掉电续传,同时利用MATLAB 2016对回读的数据进行了分析。实验结果表明:记录卡达到了系统要求,实际记录速率250 MB/s,回读速率30 MB/s,记录容量达到64 GB。在现代数据实时存储记录系统中有很好的应用前景。     

新型多铁层合异质结及其在可调微波器件中的应用

电压调控磁序的研究,对于实现超快响应、微型化和低功耗的电子器件具有重要的理论和实践意义.同时具有铁电和铁磁特性的多铁异质结可通过基于应变诱导的磁电耦合效应实现由电压调控磁特性,从而引起了学术界的广泛关注.在多铁异质结中,利用磁弹作用,电场引起的机械应变可在铁磁相中产生等效磁场,并改变其铁磁共振频率.因此,由其制备的微波器件必然满足微型化、超快响应和低功耗的要求,并可实现新的功能性.本文将从不同的方面介绍最近关于多铁体及其在微波器件中的应用等方面的工作,主要包括:具有强磁电耦合效应的新型多铁层合异质结的构建,基于多铁异质结的可调微波信号处理器的开发,以及在多铁异质结中通过铁电畴弹性反转来非易失性调控微波性质的研究.这类可调节的多铁异质结及其器件的研发为实现下一代可调磁性微波元件、超低功耗电子器件和自旋电子元器件提供了广阔的前景.     

非易失性芯片数据安全存取探讨

就如何保证非易失性芯片数据存储的安全问题提出了解决方法,即光耦隔离、延长单片机的复位过程、掉电判断,并以24C16和89C51为例给出了具体电路及其工作原理。     

基于氧化铜纳米线的易失性数字识别忆阻器

为了实现易失性忆阻器在神经形态计算中的应用,制备一种基于银-氧化铜纳米线-铜结构的易失性数字识别忆阻器;采用化学溶液法和磁控溅射技术,分别制备忆阻器的氧化铜纳米线阻变功能层和银顶电极;对该忆阻器的结构、物相及电学性能进行表征、测试。结果表明：该忆阻器具有易失性和突触可塑性,低阻态会在1 000 s内退化到高阻态,阻变行为由金属银原子形成的导电丝的主导作用所致;该忆阻器对手写体数字的识别准确率高达92%,可应用于神经形态计算。     

基于范德华异质结的多功能场效应晶体管制备及性能研究

二维材料范德华异质结的研究推动了新型电子器件的发展.最近基于此类材料的电子器件时有报道,但鲜见同时具备逻辑运算和数据存储功能的电子设备.该研究采用机械剥离等方法,设计和制作了一种基于石墨烯/六方氮化硼/二硫化钼范德华异质结的多功能半浮栅场效应晶体管.研究发现,在单个器件构型中同时成功地实现了场效应管、半浮栅场效应管和二极管功能.而且电学测试结果进一步表明：作为经典的晶体管,它可以用于逻辑运算;作为半浮栅场效应管可用于非易失性存储器,而且保留时间可达10年以上,且其开/关比可达10³;作为二极管用于整流,其整流比可达10³.因此,本工作制备的多功能半浮栅场效应管有望在逻辑运算、数据储存和整流器开关等方面得到广泛应用.     

CuO薄膜的阻变存储特性

利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb（Nb：STO）的衬底上制备了双层的Cu2O/CuO薄膜,经过测量其电流电压特性,发现Pt/Cu2O/CuO/Nb：STO器件的阻变存储特性非常显著,而且可重复程度高,适合多次数据写入与擦除,有望应用于信息存储领域.