等价鞅测度模型在外汇期权定价中的应用

在随机利率下，分别就单因子模型和双因子模型两种情况展开讨论，利用等价鞅测度模型给出欧式外汇期权定价的一般公式。     

MOCVD 生长的动力学模式探讨

讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释．应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度—原材料输运速度有关的公式，并应用这个公式进行了计算，计算结果与实际生长时的参数接近．     

乳酸乙酯合成新方法的研究

本文报道了以卤化物为催化剂，以乙酸乙酯为溶剂合成乳酸乙酯的新方法。研究了醇酸摩尔比、催化剂、溶剂的用量对乳酸转化率的影响，结果表明该方法工艺简单、产率高、产品易分离、无工业废物，是生产食用香料增效剂的理想方法。     

低温低氧压下激光法在金属基底上沉积高温超导薄膜的缓冲层钇稳定氧化锆

制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线低,在液氮温区仍有很强的钉扎力.YBa_2Cu_3O_(7-δ)已在单晶基片上生长出很高质量的薄膜,J.高达(5～6)×10~6A/cm~2.但是单晶基底对强电应用是不利的,为了使YBCO薄膜的优良性能应用于带材,必须把YBCO沉积到可弯曲并且便宜的金属基底上.为防止金属基底与YBCO之间的扩散反应,用钇稳定氧化锆(YSZ)做缓冲层.但是用这种薄膜沉积法得到的带材由于不是外延生长,J_c为 10~3～10~4A/cm~2.近来人们用离子束辅助沉积法(IBAD)在金属基底上得到具有平面内织构的YSZ缓冲层,并在其上外延生长出J_c达到 10~6A/cm~2的YBCO薄膜,这使得IBAD薄膜法成     

直流电对Sn-Pb/Cu润湿性的影响

在铸造法制金属基复合材料过程中,金属基体与增强相间相互润湿是一个非常重要的条件解决金属液/增强相间润湿性问题的途径主要有物理方法和化学方法两种,施加电流是一种物理方法,与化学涂层、添加合金元素等化学方法相比,它不会给金属液带来成分的变化,或在界面上产生严重的化学反应,使得界面的强度受到破坏;该法与其他物理方法如压力浸渗。搅拌铸造、超声振动相比,将避免气体或氧化膜的混入,而且所需设备简易.然而,电流对金属液/固相润湿的作用很少有报道.在金属基复合材料大家族中,金属基体多采用共晶系合金,如Al-Si,Al-Mg,Fe-C系等;增强相常用石墨、钨丝、碳纤维等导体材料.故本文选择典型二元共晶系Sn-Pb合金作为金属液,导体纯铜作为固相衬板,用座滴法来研究电流对液固两相润湿过程的影响,本文用Gouy-Chapman和Stern双电层理论来分析相关现象.     

金属管路分支新工艺

在管路上制作分支管路时,用传统的工艺方法制作过程是在需分支处的母管上按需要切出一个近似相贯线形状的孔,并沿孔缘做出焊接坡口,再把支管插入孔中进行焊接.这种工艺方法的不足之处在于相贯线孔切制不易准确且费时(用火焰切割),焊接支管时,由于相贯线孔是空间曲线,不便于采用自动焊接,尤其是当管壁厚度较大时,其焊透性及充盈程度不易保证,焊渣清除困难,一些焊接缺陷往往使此处易发生腐蚀.采用凸缘分支工艺方     

接触器无弧通断研究

本文研究了三相交流接触器无弧通断问题 ,分析了强电电器和弱电电器各自的特点 ,提出了用强弱电相结合的方式 ,开发新型电器产品的观点 ,并给出了具体实现无弧通断的组合式接触器装置。图 2 ,参 4。     

石膏转化法制取硫酸钾单因素实验的回归分析

在一系列单因素实验基础上考察了氨催化下石膏转化法制取硫酸钾中各种因素对氯化钾转化率的影响，应用一元回归分析方法建立了各单因素实验数学模型，得出了反应的优化工艺参数。结果表明氯化钾转化率可达９４％．     

陶瓷与金属的氧化物封接料制备及其封接工艺

用混合熔烧的方法，制备出一种氧化物封接料．该封接料能在７００℃下对氧化铝瓷与铜及铜合金进行气密性封接．在封接中，只需将封接料涂在陶瓷体的封接面，套上金属件，在马弗炉中以５℃／ｍｉｎ升温到７００℃后保温１０ｍｉｎ即可．对封接体所作的拉伸强度和气密性质量检测表明，封接界面的抗拉强度高于陶瓷本体强度，界面对空气的漏率小于１．４×１０－９Ｐａｍ３／ｈ，满足工业部门对封接质量的要求．     

非正统网络的无功特性及无源补偿研究

从时域分析角度出发，结合非正弦风络无功功率的频率特性，对非一经网络无功特性进行分类研究，定义拟电参数，由拟电参数Ｌ和Ｃ的值研究非正弦网络的无功特性，并以此指导非正弦无功功率的无源补偿。