用光锥QCD求和规则研究B→π跃迁形状因子

本用改进的光锥QCD求和规则计算B→π跃迁形状因子，并与标难的光锥QCD求和规则的结果进行比较．它们基本吻合，但在本中消除了twist—3波函数的不确定性所带来的影响，从而能更精确地抽取CKM矩阵元｜Vub｜。     

振幅相干态光场与二能级原子的相互作用及场熵的演化

运用J-C模型研究了二能级原子与振幅相干态光场的相互作用，光场-原子系统内部状态间的跃迁几率和光场场熵的演化．     

InxGa1-xN/GaN量子点中的激子态

近年来,三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注．由于InN和GaN之间比较大的晶格失配导致在InxGa1-xN／GaN量子阱的InxGa1-xN激活层中自发形成一些纳米量级的富In类量子点．这些富In量子点就像三维陷阱一样,     

稀土铒离子掺杂的ZrF2-SiO2发光性质研究

制备了Er3+掺杂的ZrF2-SiO2材料,测量样品的吸收谱和在980nmLD激发下的上转换荧光发射谱.分析了稀土Er3+中4f电子跃迁的特征,证实了在980nm泵浦的激发下,ZrF2-SiO2Er3+在404、445nm和525、548nm附近的蓝/绿可见波段上转换发光过程是激发态吸收(ESA).     

Ti+19离子的能量和振子强度

用全实加关联方法计算类锂Ti^ 19离子1s^22p～1s^2nd(3≤n≤9)的跃迁能、振子强度和1s^2np与1s^2nd(n≤9)态的精细结构劈裂．得到的3种规范下振子强度的计算结果符合的很好,与已有的实验数据也相符合．确定了这2个Rydberg系列的量子数亏损．将上述分立态振子强度的计算结果与单通道量子亏损理论相结合,计算在电离阈附近(|E|≤I／2)束缚态一束缚态跃迁振子强度与束缚态-连续态跃迁的振子强度密度,实现了具有较大核电荷数的Ti^ 19离子量子跃迁特性的全能域理论预言．     

负质量粒子假设和自发跃迁定律

提出负质量粒子假设，并由负质量粒子的性质导出自发跃迁定律．这种假设将大为改善某些物理理论．     

跃迁六个能级的粒子数公式

本文推广了文章[1]的结论，给出了六个能级所组成的系统的波数以及激光与分子相互作用后在第六能级上的粒子数公式。     

一种获得分子电离截面和共振态无辐射弛豫速率的方法

利用动力学速率方程,得到了一种获得分子三能级系统的电离截面δ_m~′和无辐射弛豫速率γ的新方法.