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591.
利用型函数U(r)对右半平面上的无穷级Dirichlet级数进行了研究,并在一定条件下得到了其关于型函数U(r)的级与系数之间的关系。 相似文献
592.
无穷区间上(R)可积函数列逐项积分的条件(续) 总被引:2,自引:1,他引:1
有限区间上(R)可积函数列的收敛定理在无穷区间上一般并不成立.在文献[4]中讨论无穷区间上(R)积分逐项可积的条件基础上,继续讨论无穷区间上(R)积分的逐项可积条件,并给出了一个充要条件. 相似文献
593.
探讨了人们在认识无穷过程中存在的三个误区.第一个误区是由忽视无穷概念本身的重要性造成的,第二个误区是由对无穷概念及性质的理解偏差造成的,第三个误区是由把直观想象当推理依据造成的.并通过具体实例对其进行了分析. 相似文献
594.
沈文国 《华中师范大学学报(自然科学版)》2013,(2):145-149,166
研究二阶无穷多点半正边值问题:x″(t)+λf(t,x(t))=0,0ξ1>ξ2>…>ξn>…>0,0<η1<η2<…<ηn<…<1,αi,βi∈(0,∞),0<∑∞i=1αi(1-ξi)<1,0<∑∞i=1βiηi<1且ρ∞=∑∞i=1αiξi1-∑∞i=1(β)i+1-∑∞i=1(βiη)i1-∑∞i=1α()i>0.给正参数λ和函数f(t,x(t))赋予一定的条件,使得上述问题至少存在一个正解.该文应用锥上不动点定理证明了主要定理. 相似文献
595.
596.
用牛顿-莱布尼兹公式计算定积分,只能计算在积分区间上连续的函数的定积分,本文给出了一个计算在积分区间上有无穷间断点并满足一定条件的函数的积分法. 相似文献
597.
为了提高电子产品的集成化生产能力,在20世纪60年代发展起来的一种半导体器件——集成电路,它是采用集成工艺把晶体管;场效应管;二级管;电阻;电容等元器件以及它们之间的连线集成在,一个芯片上,由于半导体基片上不可以制造大阻值电容,所以集成电路一般采用直接耦合的结构,这样就出现一个新问题即零点漂移,本篇分析了产生零点漂移主要原因,提出解决方法。 相似文献
598.
599.
得到了以第二类Chebyshev多项式的零点为插值结点组的拟Grünwald插值多项式在Wiener空间下平均误差的一个估计.所得结果说明以Chebyshev多项式的零点为插值结点组的拟Grünwald插值多项式在Wiener空间下是弱非自适应最优的Lp(p≤4)逼近. 相似文献
600.
龚雪 《辽宁师专学报(自然科学版)》2010,12(3):1-1,50
从非退化二阶曲线切线方程的基本理论出发,应用二次曲线的仿射性质和极线理论,推导出已知特殊点下切线方程的其他表示方法,简化了切线方程的求解过程,并揭示出切线关于二次曲线分类的意义. 相似文献