首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   974篇
  免费   26篇
  国内免费   50篇
系统科学   21篇
丛书文集   52篇
教育与普及   34篇
理论与方法论   2篇
现状及发展   7篇
综合类   934篇
  2023年   5篇
  2022年   14篇
  2021年   9篇
  2020年   9篇
  2019年   19篇
  2018年   14篇
  2017年   14篇
  2016年   18篇
  2015年   27篇
  2014年   49篇
  2013年   48篇
  2012年   58篇
  2011年   52篇
  2010年   58篇
  2009年   41篇
  2008年   53篇
  2007年   74篇
  2006年   46篇
  2005年   39篇
  2004年   45篇
  2003年   28篇
  2002年   37篇
  2001年   26篇
  2000年   25篇
  1999年   22篇
  1998年   20篇
  1997年   18篇
  1996年   22篇
  1995年   19篇
  1994年   21篇
  1993年   19篇
  1992年   15篇
  1991年   21篇
  1990年   19篇
  1989年   15篇
  1988年   17篇
  1987年   8篇
  1986年   3篇
  1985年   3篇
排序方式: 共有1050条查询结果,搜索用时 31 毫秒
961.
西葫芦SRAP—PCR退火温度的优化及遗传多样性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
以西葫芦为试材,利用梯度PCR技术,对SRAP-PCR过程中的两步退火温度进行了试验研究。结果表明:通过对第一步前5轮循环的退火温度梯度37-50℃的试验,其退火温度可提高到41℃;对第二步后30轮循环的退火温度梯度50-60℃的实验,其退火温度可提高到52℃。应用该程序在29个西葫芦自交系间进行扩增,均获得了良好的结果,并对29个自交系进行了遗传多样性分析。  相似文献   
962.
从多孔硅的最基本的器件结构——金属/多孔硅/硅入手,研究这种结构的电学性质:整流特性,对进一步理解和提高多孔硅的电致发光和多孔硅在其它一些电学方面的应用有着积极的意义。用电化学腐蚀法制得多孔硅,对多孔硅电化学氧化和氮气气氛下退火,研究这两种后处理方式对多孔硅整流特性的影响。多孔硅经高浓度硫酸电化学氧化后,整流特性消失;多孔硅经氮气气氛下退火后,整流特性增强;分析了相应的机理。  相似文献   
963.
采用射频共溅射复合靶(Si Ge 石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小,对这一规律性的结果作了解释  相似文献   
964.
用直流电化学沉积方法,通过改变沉积电压,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备了Co-Pd合金纳米管阵列,分别用扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品的形貌和磁学性质进行了测试.SEM结果显示,纳米管阵列均匀有序;样品磁性测试结果表明,外场垂直于纳米管轴时的剩磁比(Mr/Ms)比外场平行于纳米管时的剩磁比大,且矫顽力(Hc)随着Co含量的增加而增加.在真空500 ℃退火后,样品矫顽力有明显增大.  相似文献   
965.
针对罩式退火过程的钢卷内部温度场的分布特点,提出了一套适合于罩式退火系统的钢卷温度场计算技术,并将其应用到某罩式退火生产线的生产实践,为机组罩式退火过程中退火工艺制度的制订奠定了坚实的理论基础.  相似文献   
966.
利用高真空直流磁控溅射仪,在玻璃衬底上制备了结构为"Glass/Ta(6nm)/NiFe(6nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(t nm)/IrMn(11nm)/Ta(6nm)"的自旋阀.研究了被钉扎层CoFe的厚度t对自旋阀磁性能的影响,当t为7.5nm时自旋阀主要性能达到最佳,并且在外加磁场4 000Oe下,270℃保温3h退火处理后,自旋阀的GMR值进一步达到5.5%,自由层矫顽力为3Oe,交换偏置场为130Oe.通过以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率、低矫顽力和大交换偏置场的自旋阀.  相似文献   
967.
王昕  徐建华  马胜利  徐可为 《科学通报》2010,55(33):3244-3248
用弧离子增强反应磁控溅射方法, 在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积出具有较高Al, Si含量的TiAlSiN多元硬质薄膜, 研究了不同温度退火后薄膜的微观结构和硬度变化. 结果表明: 由于沉积速率较高和沉积温度较低, 沉积态的TiAlSiN薄膜主要形成非晶结构; 高温退火后, TiAlSiN薄膜由非晶转变为纳米晶/非晶复合结构; 1000℃以下退火后产生的晶体为AlN及TiN; 1100℃以上退火后晶体为TiN, 其余为非晶结构; 1200℃时薄膜发生氧化, 生成Al2O3, 表明TiAlSiN薄膜具有相当高的抗氧化温度. TiAlSiN薄膜随退火温度升高晶粒尺寸逐渐增大, 高温退火后平均晶粒尺寸小于30 nm. 沉积态TiAlSiN薄膜具有较高的显微硬度(HV0.2 N=3300), 但随退火温度的升高, 硬度逐渐降低, 800℃退火后硬度降低至接近TiN硬度值(HV0.2 N=2300).  相似文献   
968.
磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
磁控溅射法是制备薄膜材料的重要手段,薄膜属性受其制备参数的制约,诸参数相互关联,共同影响薄膜的沉积、成核及生长。本文在简要介绍了磁控溅射制备薄膜的基本原理及基本流程的基础上,讨论了溅射参数影响薄膜属性的基本规律和作用机理,并简述了使用磁控溅射法制备薄膜的注意事项。  相似文献   
969.
王兴棒 《科技信息》2010,(8):236-236
文章采用文献资料、逻辑分析与数理统计等研究方法,针对无氧阈训练法的特点、功效等进行分析,并结合武术套路训练的特点以及在套路训练过程中制约训练目的达成、运动员耐力素质等因素展开探讨,以求为武术套路训练提供一些可行性建议。  相似文献   
970.
以包钢CSP流程热轧板为基料的SPCD冷轧板为试验材料,采用单台阶和双台阶两种退火加热制度进行实验室试验,对比分析了不同规程下的再结晶织构、组织和性能特点.结果表明,双台阶退火工艺对应的γ织构、α织构上的{111}〈110〉成分均有所提高,但是双台阶工艺下的Δr值偏大.分析认为,双台阶和单台阶在回复阶段上有所不同,不利取向组分形核受到了抑制,最终导致有利织构含量上的差别.在双台阶工艺下,{110}〈110〉织构强度的提高导致Δr值偏大.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号