最佳退火降温速率时间函数及一些类似过程分析

1 最佳降温率数年前,顾世洧建立了在半导体器件生产中用控制降温速率达到消除晶体缺陷的最佳件: dT/dt=-AnvT~2exp(-U/kT) (1) 式中T为退火过程中的温度;t为降温时间;n为杂质原子密度;v为近邻原子振动频率;U为迁移势垒高度Uk为玻尔兹曼常数;A为一综合常数,为正数。详见文献[1]。本文稍有改动是为简化表达。     

非晶硅低温退火固相晶化的研究

从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。     

一种冷轧高强钢板的纳米析出物

在研究纳米析出强化热轧钢板的基础上,对该钢板进行了冷轧退火试验研究。采用透射电镜(TEM)和能谱分析等方法分析了析出物的分布和形貌,测定了两种纳米析出物的成分。结果表明,试验钢经退火处理后存在着两种形状的析出物,矩形析出物尺寸为30~50 nm,主要由TiN组成;圆形析出物为5~10nm,主要由TiC组成。这些析出物的出现将直接影响实验钢的性能及应用。     

Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

Cu对高压电解电容器阳极铝箔再结晶织构的影响

采用织构定量检测等方法研究了铜元素对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响, 讨论了相关的影响原理.结果表明, 微量铜元素的变化会改变其在位错附近的偏聚状态, 进而影响轧制铝箔的塑性变形过程和取向分布状态, 因此铜元素会影响其再结晶行为和退火铝箔的立方织构量.较低的铜含量和较高的晶粒长大温度有利于立方织构占有率的提高.     

ZG25钢中网状珠光体的形成及对力学性能的影响

采用不同热处理方法研究了ZG25钢中网状珠光体的形成规律及对力学性能的影响·结果表明,当试验钢经900～950℃退火处理后,珠光体易形成网状·过高或过低温度退火,以及在所有试验温度下正火,珠光体均不易形成网状·电子探针分析证实,这种网状珠光体的形成是锰偏析所致·ZG25钢中珠光体呈网状分布时,钢的强度、韧性明显降低     

电场退火对08Al深冲钢板深冲性能的影响

利用X射线衍射技术(ODF分析)和拉伸实验研究了退火过程中电场对冷轧08Al钢板深冲性能的影响·结果表明:电场退火提高了08Al深冲钢板的塑性应变比(r值)和加工硬化系数(n值),同时降低了塑性应变比各向异性(Δr值),即提高了08Al钢板的深冲性能·其主要原因在于电场提高了08Al深冲钢板再结晶γ纤维织构的强度和降低了再结晶α纤维织构的强度     

图的最大独立集问题的模拟退火算法

给出了一种具有全局优化特性的改进的模拟退火算法 ,建立了图的最大独立集的模拟退火模型 ,研究了扰动的形成和算法参数的选取 ,并用计算机进行模拟 ,结果表明该算法是有效的     

整体退火遗传算法及其收敛充要条件

针对常用时齐（比例选择下）遗传算法的强不收敛性和 设置合理停机准则的弊端，提出一类非时齐（整体退火选择下），保证收敛且容易判断收敛的新型遗传算法，证明允许父代参加竞争是这类新算法收敛的充要条件。数值实验表明：这类新算法收敛速度快，有极强的避免过早收敛及避免局部极值的全局优化能力。