基于S-R和分解定理的无网格法在功能梯度板中的应用

为了研究功能梯度板的非线性变形问题, 以 S-R 和分解定理为基础, 从虚功率原理出发, 结合更新拖带坐标系法、无网格 Galerkin 法, 推导出用于求解三维几何非线性问题的离散方程. 利用 MATLAB 编写无网格法程序, 对功能梯度板的非线性弯曲问题进行求解, 并研究板的体积分数指数和宽厚比对板弯曲的影响. 将计算结果与已有成果进行了比较, 验证了三维 S-R 无网格法求解功能梯度板大变形问题的合理性.     

镀锡板无铬钝化液喷射特性数值模拟

通过计算流体力学软件数值模拟和物理实验相结合的方式,研究了喷涂时喷盘的转速、间距、喷盘与带钢之间的距离及喷盘数量对粒度分布和雾化效果的影响.研究表明:喷盘转速越高,雾化出的液滴速度越快,液滴直径越小,雾化效果越好,选取喷盘转速为6000r/min;喷盘与带钢之间的距离为100mm时,带钢宽度范围内液滴粒度分布效果最佳;喷盘之间的间距变化时,液滴干涉区域和液滴之间的碰撞随之变化,间距80mm效果最佳.采用获得的参数制得的无铬钝化产品优于原钝化产品,表明了参数选取的合理性.     

EHB用无刷直流电机齿槽转矩抑制方法研究

由于齿槽结构的影响,无刷直流电机(brushless direct current motor,BLDCM)中存在齿槽转矩,会导致转矩脉动增加,从而影响无刷直流电机的性能.为此,以电子液压制动系统(Electro-hydraulic brake system,EHB)用BLDCM为研究对象,对结构参数进行分析及改进,来抑制BLDCM的齿槽转矩.首先,通过对齿槽转矩表达式进行推导和分析,发现其数值由基本结构参数以及傅里叶分解系数Br(nz/2p)和Gn所决定;其次,分别推导了偏心距、极弧系数和辅助槽与傅里叶分解系数的关系式,进而得到三者与齿槽转矩的变化关系;最后,通过有限元方法研究了偏心距改变、极弧系数变更和辅助槽添加三种情况下齿槽转矩的变化情况.结果表明:当偏心距、极弧系数和辅助槽形状分别为7.90 mm、0.74、椭圆形时,对应的齿槽转矩峰值分别降低96.65％、90.48％、86.74％,齿槽转矩都得到明显抑制.     

一种自动天线阻抗匹配CMOS电路的设计

为了解决小型化天线阻抗匹配时由于电感的精度不足导致阻抗匹配效果变差的问题,提出一种自动天线阻抗匹配的CMOS电路. 首先,提出了一种新型阻抗匹配方法,该方法通过在天线的输入端与末端添加电容的方式来实现阻抗匹配. 然后,通过将匹配的电容进行集成,提出一种片上自动阻抗匹配电路,通过功率检测电路和峰值检测电路来判断天线的输入功率的大小,通过电容扫描电路和程控电容来改变天线的输入阻抗. 通过该电路,天线可以自动调节输入阻抗来匹配源端的输出阻抗,以获得最大的输入功率. 该电路省去了使用网络分析仪调节阻抗匹配的步骤,从而可以降低测试环境的变化对阻抗匹配的影响,降低了射频功率放大器输出阻抗的设计要求,可以通过设计匹配电容的精度来改变阻抗匹配的精度.     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺，该工艺采用了被命名为ＤＺ－１和ＤＺ－２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗，用高频Ｃ－Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果，用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０＾１０ｃｍ＾－２数量级，去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当，新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉，且无毒，无腐蚀和对人体无危害，对环境     

Synthesis and characterization of monodispersed inorganic/organic core/shell microspheres with fluorescence

In recent years, the semiconductor nanocrystals （NCs） have attracted great interest due to their potentials in photonics, electronics, magnetics and catalysis, and the monodispersed organic or inorganic microspheres doped NCs display predominant characteristics in the fabrication and study for photonic crystals, and considerable effor thas been devoted to the design and synthesis of CdTe NCs doped colloid with well fluorescencet.