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采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室温(300K)下的主要施主浓度EL2、禁带宽度Egг和双极扩散长度La,并从理论上给相应的解释。 相似文献
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谢道华 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》1994,(2)
研究了不同Nd3+浓度(0.1mol%~2mol%)掺杂的BaTiO3陶瓷的电性能.结果表明,当Nd3+浓度为0.1mol%~0.2mol%时,轻度Nd3+掺杂的BaTiO3陶瓷是半导性,而当Nd3+为0.6mol%~2mol%时呈绝缘性.BaTiO3陶瓷室温下的体电阻车ρV随Nd3+浓度的变化呈U型特性曲线,当Nd3+=0.15mol%时材料具有最低的ρV和最佳的正温系数(PTCR)效应,相应于最大的平均晶粒尺寸AGS和介电常数ε。随着Nd3+浓度的增加.材料的ε和居里常数C下降,同时ε与C值密切相关.SEM照片显示了Nd3+含量对材料晶粒尺寸的强烈影响.此外,还分析了ZrO2对(Ba1-xNdx)TiO3系陶瓷电性能的影响. 相似文献
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在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势. 相似文献
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研究了 Sb2 O3,Nb2 O5 不同施主掺杂 Ba Ti O3基热敏 LPTCR性能 ,对掺 Sb2 O3和掺Nb2 O5 的热敏陶瓷复合制得的 LPTC进行了研究 ,对其机理进行了讨论。 相似文献
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刘汉忠 《聊城大学学报(自然科学版)》2001,14(1):52-53
通过对La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷的导电性、导电机制和微观形貌的研究,探讨了元素对该系导电陶瓷各方面性能的影响.发现稀土元素Y和La0.5Ba0.5CoO3系导电陶瓷的导电性有较大的影响. 相似文献
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赵双群 《兰州大学学报(自然科学版)》2000,36(1):34-38
在不同的施主杂质Nb2O5含量下,对BaTiO3半导陶瓷样品测量了电流-电压关系,发现结果不遵循经典的海旺模型,而与从修正的势垒模型出发得到的结果符合较好,根据修正的势垒模型,由实验结果导出了BaTiO3陶瓷的最大势垒高度。 相似文献
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研究了掺杂La2O3施主的(MgCoNi)O系氧敏材料性能.x-ray衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构.材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响.在高温下,施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主,在100>PO2≥10-10区间,金属缺位补偿占优,此时表现为电导对氧分压不太敏感.用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释. 相似文献