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文章对具有电子施主和电子受主的π共轭有机分子的分子二阶非线性光学极化率β进行计算，计算中采用ＨＭＯ方法计算分子能级，用多能级模型计算分子二阶非线性光学极化率。从计算结果得到，分子中电子施主和电子受主基团的推拉电子能力越强，对β值的贡献越大；分子中π共扼链长对β的影响比较复杂，随着链长的增加，β值的总趋势是增大，但β值既存在大起伏又存在小起伏． 相似文献
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半导体异质结中施主结合能的磁场效应 总被引：1，自引：0，他引：1
对单异质结界面系统，引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势，利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响，对磁场中的A1xGax-xAs／GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算，给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系，结果表明：杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大。 相似文献
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研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质. 相似文献
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张亿良 《上饶师范学院学报》2000,20(3):41-45
采用交流阻抗和白光电流测量法,研究了锑在恒电位1.2V(VS.SCE)于0.025mol.dm-3Na2CO3+0.025mo1.dm-3Na2HCO3+0.500mol.dm-3Na2SO4(PH=9.98,30℃)缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质.实验证明,该阳极氧化膜是一种n-型半导体,其平带电位Efb和施主密度ND分别为-0.53V(VS.SCE)和2.86×1018cm-3. 相似文献
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对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别 相似文献
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梁家昌 《河北大学学报(自然科学版)》1994,(4)
通过用一高分辨、微机控制的三晶体ｘ－射线衍射仪来测量Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中（１１）与（）衍射峰的积分强度差，定量地确定了有序度。讨论Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调制与施主－受主对复会发光能量间的关联。通过计及施主一受主对在由成份调制所导致的超格子势场中的附加能量，导出了施主一受主对在部分有序相中跃迁时新的能量方程。 相似文献
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B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。 相似文献
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电离杂质在低温半导体的输运过程中起了一个重要的角色 .因此最近几年对极性半导体 (例如异质结、量子点、量子线和量子阱 )内的极化子效应讨论很多 .一些通常的量子阱往往由极性化合物组成 ,我们需要对其中的电子和光学声子之间的相互作用进行详细研究 ,因为极化子效应能强烈影响异质结构的光学和输运特征 .因而在这样的结构中 ,电子态是通过势阱来描述的 .在低维量子系统 ,由于电子的束缚产生的基态杂质束缚能比体材料相比要大得多 .这个如 Greene和 Bajij[1] 所说的那样 ,量子阱中浅施主杂质的详细研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性… 相似文献
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研究了强磁场条件下有限深量子阱中的中性施主．计算了中性施主的基态能量和束缚能，讨论了阱宽对中性施主束缚能的影响． 相似文献