施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。     

磁场中量子点施主的低激发态

采用量子点的三维抛物势近似，利用Larsen给出的计算磁场中量子阱中心施主能级的方法，来计算磁场中量子点施主的低激发态，给出这些低激发态能量随外磁场的变化关系。     

围观花和尚

正不论中外,对修道之人情欲的揣测,都出自一种触犯禁忌的刺激心理。薄迦丘写《十日谈》,许多黄段子都跟修道士有关。中国人也爱如此。《水浒》这种名著,公开引苏轼段子道:"一个字便是僧,两个字是     

磁场中异质界面上负施主离子中心

采用变分的方法讨论了异质界面上中性施主Ｄ＾０的负施主离子Ｄ＾－的能量随垂直直于界面的磁场的变化情况，分析所选择的两种波函数适用范围。计算得到此结构中Ｄ＾－中心角动量Ｌ＝－１自旋三重态的本征能量和束缚能，找到了此三重态由非束缚态转变到束缚态对应磁场的阈值。     

量子阱中的双施主态杂质能级的束缚极化子效应

由于量子阱中的浅施主杂质的研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性质的研究都提供了有用的信息,因而近来对极性半导体量子阱中的极化子(不仅是自由极化子而且也对束缚极化子)的行为的研究受到人们的重视.不过以前人们将注意力仅仅放在类氢施主杂质上[1,2].显然考虑类氦施主杂质无论从理论上或是从应用上都是必须的.     

椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率

在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质有强烈的影响.     

屏蔽对GaAs／AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入了三角势近似异质结势，考虑电子对杂质库伦势的屏蔽影响，利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量，对GaAs/AlxGa1-xAs系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别。     

磁场中异质界面上中性施主的束缚能

用变分法研究了磁场条件下异质界面上中性施主Ｄ０问题．得到了该结构中Ｄ０的基态能量和束缚能随磁场的变化关系     

最具魅力

有一位女施主,家境非常富裕,不论其财富、地位、能力、权力及外表,都没有人能够比得上,但她却郁郁寡欢,连个谈心的人也没有,于是她就去请教无德禅师,如何才能具有魅力,以赢得别人的欢喜。     

ICS直放站应用

由于常规无线同频直放站由于隔离度有限,其施主天线从空中接收的信号中,将不可避免的包含一些重发天线发出的覆盖信号又通过各种途径反馈回来形成同频干扰信号,这些信号对直放站造成干扰,本文主要介绍ICS干扰消除的方法。