丙烯腈反应器新型两级旋风分离器性能计算方法研究

丙烯腈反应器新型两级旋风分离器由常规的PV型和新开发的PV E型旋风分离器组成。这种分离器具有结构简单、分离性能好、操作稳定等优点 ,能增加现有丙烯腈反应器的处理能力 ,但是目前缺少一种可靠的计算其性能的方法。根据PV型和PV E型旋风分离器的异同 ,提出了一种基于PV型旋风分离器性能计算法的修正方法。冷态试验结果及工业标定数据表明 ,该方法的计算结果可靠 ,精度较高 ,能用于丙烯腈反应器新型两级旋风分离器的设计或指导生产。以齐鲁石化公司 4× 10 4t/a丙烯腈装置为例进行了计算 ,其结果可为分离器设计提供依据     

新型Cu(II)双核配合物的合成、结构表征和量化计算

以二(2-苯并咪唑亚甲基)胺(N3)为配体,合成了一种新型Cu(II)双核配合物作为超氧化物歧化酶(SOD)的模型化合物.采用元素分析、UV和IR光谱进行了表征,应用X射线衍射方法测定了晶体结构,并利用G98W程序在HF/LANL2DZ基组水平上对该双核配合物进行了量子化学计算.晶体结构分析表明,Cu(II)双核配合物的化学式量分子(C42H40N12O17Cl4Cu2)是以4,4′-联吡啶为桥的Cu(II)双核配合物单元,Cu(II)与配位原子形成变形八面体构型,轴向配位氧原子来源于高氯酸根.量化计算所得原子轨道贡献和原子净电荷布居分析结果与晶体结构中的配位情况相符.     

生物机制在智能计算中的应用

揭示生物机制在智能计算中的应用。与生物学相关理论相结合 ,论述遗传算法、人工神经网络和DNA计算的生物机制 ,揭示生物学思想在其中的应用 ,说明现在各类学科交叉发展的趋势     

燕山石化公司乙烯装置66×104t/a扩能改造方案的研究与决策

燕山石化公司30×104t/a乙烯装置1994年完成第一次扩能至45×104t/a的改造后，仍存在原料灵活性差、能耗高、与同期建设的乙烯装置比规模偏小等问题。以全面提高技术水平、降低能耗、增加原料灵活性、尽可能扩大生产能力为目标，充分考虑方案的可实施性、实施时的安全性、实施后的可操作性及方案的先进性和经济性，对装置技术改造的方案进行了比选研究。经改造，实现了生产能力扩大到66×104t/a的目标，实际可达71×104t/a，装置能耗明显下降，石脑油、轻柴油、重柴油、加氢裂化尾油均可作为乙烯原料。在世界上，     

数值相对论简介(Ⅰ)--爱因斯坦方程

对数值相对论中涉及的一些典型的算法进行了简单的介绍.在广义相对论中,引力场是由一组极其复杂的、相互耦合的、非线性的双曲或椭圆偏微分方程决定的.由于大规模并行计算机的运行速度和存储容量的飞速发展,在爱因斯坦场方程写出80多年以后终于有可能对在天体物理中十分令人关注的现象如黑洞或中子星的碰撞问题等,进行广义相对论性的三维模拟,进而诞生了数值相对论.     

企业技术创新的关键在于企业与科技人员互动

企业技术创新要求企业与科技人员合作 ,合作的基础是利益诱导。在分析了企业与科技人员的利益目标差异的基础上 ,用一个抽象的组合激励理论模型 ,说明了两者“双赢”的行为选择 ,为推动企业技术创新提供了一种思路。     

图的曲面嵌入

提供了曲面的一种多边形表示，它虽然由多面形表示演化而来，但使得图的曲面嵌入的存在性、计数、确定最大亏格等问题变得十分简单。多面形表示源于Heffter^[1],Hilbert和Cohn—Vossen提出过引线问题并将它与Heawood的地图着色猜想联系^[2]，经过近百年直至Ringal等获得证明^[3,4]。Edmonds(1960)^[5]的多面形表示曾被广泛引用．但30余年后，才发现是Heffter的对偶形式。虽然多边形表示始于本文作者的专著^[6,7]，但至今才发现它在处理上述问题的效力。这就导致此文并为过渡到组合地图理论搭起一座桥梁。     

4．3米磁性引纬织机共轭凸轮引纬系统的综合

提出采用共轭凸轮一行星轮系组合机构作为引纬系统解决了4．3米磁性引纬织机大幅宽引纬问题。共轭凸轮机构可满足对引纬工艺要求的控制，行星轮系增速可增加引纬幅宽。讨论了通过引纬梭移动裕量和优化确定凸轮机构运动规律克服增速带来的位置精度和惯性力等问题。     

套管井井间电阻率测井的原理及数值计算

本以电磁场理论为基础，导出了过套管进行井间地层电阻率测井问题的理论公式，并用低频电磁波进行了数值计算，分析了套管对井间电阻率测井的影响。结果表明：用低频电磁波过套管测量地层电阻率的井间测井方法是可行的。该理论可为套管井井间地层电阻率测井仪器的研制、测井解释及井间电阻率层析成像技术提供重要的理论依据。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。