正交矩阵及其特征值

<正>正交矩阵是一类重要的矩阵,鉴于国内多数线性代数教材对该问题讨论得不够全面,本文对其内容[1-2]进行系统的梳理.1正交矩阵及正交变换定义1设U是n阶实方块矩阵,若UUTE,则称U是n阶正交矩阵.性质1正交矩阵的列(行)构成的列(行)向量组是向量空间     

有机溶剂法合成PbSe纳米立方块及其光学性质研究

用甲酰胺作溶剂和配位剂，通过温和的溶剂热路线成功地大量合成了PbSe纳米立方块．运用一系列技术手段，如粉末X光衍射（XRD）、透射电子显微术（TEM）、X光电子能谱（XPS）和傅立叶变换红外光谱等对所合成的PbSe立方块进行表征．纳米立方块的平均颗粒尺寸约为20nm．相对于[100]，[111]方向较快的生长速率导致了纳米立方块的形成，并提出了可能的生长机理，同时，对所得产物的光学性质进行研究，可能由于纳米颗粒的量子效应，吸收光谱出现蓝移现象．     

Pade—逼近的一种数值计算方法

利用Ｐａｄｅ－表的块状结构和高斯消去法给出了任一函数ｆ（ｚ）的退化或非退化的Ｐａｄｅ－逼近（ｍ／ｎ）ｆ的计算，并判别Ｐａｄｅ－逼近「ｍ／ａ」ｆ是否存在。     

系统电子电路功能块剖析试探

系统电子电路功能块剖析试探邓永良（贵州师大物理系贵阳５５０００１）现代电子技术应用飞跃发展，电子种类繁多，对整机电路的剖析识读显得非常的重要。但是涉及电子电路分析的现有期刊或有关资料中对实际电路的剖析识读，特别是对整机电路的剖析识读往往过于简单而满足...     

核桃嫁接新方法——长方块芽接（下）

5月中旬以后，当采穗网接穗新梢生长量达50厘米左右时，即可开始嫁接。接穗应从早实、丰产、优质、抗性强的良种核桃采穗园采集生长健壮的当年生枝条。采后留3-4厘米长的叶柄后立即剪去叶片，防止擦伤嫩枝。如果接穗距离较近，现采现用最佳。     

室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺

ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响.实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0 sccm,射频功率400 W,Ar气为0.7 Pa,溅射时间为2.5 h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色.     

核桃夏季大方块皮芽接技术

核桃嫁接成活率不高，是制约核桃良种化的障碍。近年来，推广应用了核桃夏季大方块皮芽接技术，主要方法是：选择接穗，准备砧木，削接穗、切砧木、贴芽皮、包扎接口，并做好嫁接后的管理，除萌芽、绑支架，解除绑扎物．适时摘心，加强水肥管理，成活率达85％以上。     

与本身读音无关的方块苗文输入音形编码新方法

为有效提高方块苗文的输入速度,提出一种方块苗文输入的音形编码新方法,并用上下文无关文法给出该方法的形式化定义.该方法是将方块苗文输入编码序列设计为“2个音码+2个形码”的4码形式,与文字本身读音无关.音码由方块苗文首构件和末构件的汉语拼音首字母决定,形码由方块苗文本身的末笔画名称和结构类型名称的汉语拼音首字母决定.测试实验结果表明,较之前期已实现的方法,该方法不但简单规范、易学易用,而且具有更低的重码率、更快的输入速度和更高的输入正确率.     

空气环境下制备相变特性VO_2薄膜

提出了一种制备相变特性VO_2薄膜的简易方法.将制备好的金属钒薄膜置于440℃空气下氧化处理,获得相变温度为60℃的单斜VO_2薄膜,薄膜方块电阻值在60～85℃范围内变化量达2.2个数量级.X射线衍射分析(XRD)表明薄膜的主要成分为单斜相VO_2.探索了此工艺的一般性规律,分析高价态钒对薄膜相变的影响.