一类二阶非线性脉冲微分方程的振动性（英）

利用Lakshmikantham等人建立的脉冲微分方程不等式研究了一类二阶脉冲常微分方程解的振动性, 获得了此类方程振动所应具备的充分条件. 同时改进了一些已知结果. 最后用一个具体例子说明了是否带有脉冲对微分方程的振动性有很大的影响.     

二阶半线性脉冲微分方程解的渐近性

考虑二阶半线性脉冲微分方程，分别得到了方程所有解有界或所有解x（t）满足limx（t）t→∞=0的充分条件，结果说明了脉冲扰动对方程解的性态的影响。     

System View与Matlab联合仿真的研究与实现

在很多应用场合,需要联合SystemView与Matlab进行通信系统仿真。以μ律PCM编码为例提出了一种以M-LINK接口为桥梁的联合仿真方法,给出了联合仿真的流程。并通过对联合仿真输出波形出现的延迟现象进行分析,给出了仿真过程中关键参数的设置方法。仿真结果表明,这种联合仿真方法是可行的,可以应用到其它需要联合SystemView与Matlab进行复杂通信系统仿真的场合。     

雷达系统的电磁脉冲效应分析

针对雷达系统作了防电磁干扰能力的判定,同时对战场中逐渐占据主体的典型电磁波的类型及其干扰程度作了分析。为了探究电磁脉冲对电子器件的损伤机理,用不同脉宽的方波脉冲对LM324N、CD4069UB进行了注入实验,发现器件电路损伤在很大程度上与脉冲能量的大小有关,存在一个由绝热过程向热平衡转化的阶段,验证了电磁脉冲对电子器件的绝热烧毁效应。针对雷达系统提出了综合的电磁防护原则。     

二阶非线性脉冲积分-微分方程的边值问题

通过建立新的比较定理，运用单调迭代技术给出了二阶非线性脉冲积分-微分方程边值问题的最大最小解存在定理．     

NaF薄膜的结构与应力分析

采用脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析．AFM测试结果表明，低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密，均方根粗糙度（Rms）仅为0．538nm；XRD分析结果表明，用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在（222）晶面有明显的择优取向．应力分析薄膜的残余应力为压应力，应力大小随激光能量密度的增加而增加；XPS分析结果表明，热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量．热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧，PLD方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧，说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解．     

常系数Ginzburg-Landau方程自相似脉冲演化的解析解

采用对称约简方法, 通过分离变量法首次得出了Ginzburg-Landau方程抛物渐近自相似脉冲的解析解, 给出了自相似脉冲的振幅、相位、啁啾以及脉冲宽度的一般表达式, 讨论了掺杂光纤增益色散对抛物型自相似脉冲演化特性的影响. 数值计算结果证实了Ginzburg-Landau方程具有抛物渐近型自相似解, 其与解析分析的结论一致.     

PED沉积Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜过程中影响超导电性因素分析

采用脉冲电子束沉积技术, 在SrTiO₃衬底上成功制备了高质量的Nd_1.85Ce_0.15CuO₄(NCCO)薄膜. 通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率, 获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品. 对样品R-T曲线进行分析, 得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律, 并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因. 通过与脉冲激光沉积技术类比, 定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系.     

中频交流脉冲电源的研制

研制了150kHz中频交流脉冲电源,给出了中频交流脉冲电源的设计思路和实现方案.该电源采用全桥逆变拓朴电路、PWM控制方式、输出功率叠加的方案,具有输出变压器原边平均电流和副边峰值电流的过流保护功能.其输出峰值电压0~1200V连续可调,频率1~150kH z可调,脉宽占空比10%~40%可调,输出平均电流0~5A,最大输出功率5kW.利用该电源进行了等离子体化学气相沉积和反应溅射实验,证明该电源各项指标运行正常,工作稳定,具有良好的应用价值.     

脉冲 Sturm-Liouville 方程边值问题的多重正解

利用不动点指数理论,讨论了含无数个间断点的脉冲Sturm-Liouville方程边值问题(p(t)x′(t))′ f(t,x(t))=0,t∈[0,1],t≠tk;-Δx′|t=tk=Ik(x(tk)),k=1,2,…,α1x(0)-β1p(0)x′(0)=0;α2x(1) β2p(1)x′(1)=0的正解的存在性.