铆接结构中缺陷的脉冲远场涡流定量评估技术

针对飞机机身铆接结构检测中难以对缺陷进行定量评估的问题,将脉冲远场涡流检测技术运用于铆接结构缺陷检测之中。利用脉冲激励频谱成分丰富、可提取特征信息较多的优势对铆接结构中缺陷的定量评估技术展开研究。首先,建立铆接结构脉冲远场涡流三维检测模型,对缺陷进行检测,从而确定缺陷位置。在此基础上,分析缺陷类型、尺寸对检测信号的影响发现直接耦合分量幅值与上下表面缺陷深度之间具有不同的变化关系,从而实现对缺陷的分类识别。最终,利用信号的过零时间变化量实现对缺陷深度的定量,在缺陷深度已知的情况下,进一步利用直接耦合分量幅值变化对上表面缺陷长度进行定量;利用间接耦合分量幅值变化对下表面缺陷长度进行定量。     

脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化

针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导.      

固态功率放大器栅极与漏极双脉冲调制技术的设计与应用

主要设计应用了一款栅极调制与漏极调制相结合的固态功率放大器双脉冲调制电路。设计的双脉冲调制电路主要解决了固态功率放大器放大管在漏极上电过程中引起的芯片自激干扰问题。主要采用大电流NPN三极管BU407和高速大电流低内阻的P沟道MOS管IRF4905为固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,采用高速功率MOSFET驱动器MC33152为固态功率放大器设计了栅极脉冲调制控制电路,双脉冲调制电路可直接控制固态功率放大器的工作状态,消除单一调制电路引起的自激等问题。     

科学家正研究用激光来探测半英里外的爆炸物

<正>美国德州农工大学生物医学工程师、兼本次研究合著者之一的Vladislav Yakovlev在一封致TheVerge的邮件中表示:"这为遥感技术开启了一扇全新的大门"。此前的研究以描述过类似的激光传感技术,但是"没有人在如此远的距离上实现过","尤其是仅采用单发激光"。这项技术利用了"拉曼散射"(Raman     

铕掺杂ZnO纳米棒的生长及其光电性能的研究

利用水热法在硼掺杂金刚石膜上生长铕(Eu)掺杂Zn O纳米棒(Zn O:Eu),其形貌与Eu的掺杂量密切相关。掺杂0.01 mol/L Eu时对Zn O纳米棒生长影响较小,随着掺杂浓度的增加,Zn O纳米棒顶部出现"尖端聚集现象",这种聚集现象是和纳米棒制备过程中电荷积累相关的,稀土元素能提供更多的电荷,使Zn O纳米棒顶端产生强的局部电场,相近纳米棒尖端会聚集一起。制作了以p型金刚石为衬底生长的Zn O:Eu异质结,并对其电学性能深入研究,实验结果表明该异质结对整流特性有良好反应。     

两种群相互竞争的具有脉冲接种的SEIR传染病模型

研究了一类两种群相互竞争的具有脉冲接种的SEIR传染病模型,讨论了系统周期解的存在性,并利用Floquet定理证明,在满足一定条件下,周期解是局部渐近稳定的。     

多个H桥级联整流的研究

本文介绍了三个H桥的级联整流控制的拓扑和工作原理,建立了相应的模型,并给出具体控制方案,分析了各参数的设置规则。仿真结果表明,在电路参数变化和负载扰动时,可以实现交流侧单位功率因数和各相输出直流电压恒定。这对大功率电力电子变压器的整流部分提供了一个清晰的、便于实现的控制思路。     

带有无穷时滞的脉冲积分微分包含的可控性

利用Deimling型凝聚多值映射不动点定理结合预解算子理论,在给定条件和微分包含有关理论的基础上,研究了一类具有无穷时滞的脉冲积分微分包含的可控性.     

当代中国大中专院校电工技术教学的两大发明

以4项发明专利,对照电工和电力电子技木教科书上基础电路教材,论述龚氏桥全整流电路和龚氏斩控交流调压电路必将轻松走进世界科学讲堂和教科书,为电工和电力电子技术的教科书上独占一大类的相控整流电路——龚氏桥全整流电路和一个龚氏斩控式交流调压电路。它们是大中专院校电工和电力电子技术教学的四大发明中最重要的两大发明。     

具有S-分布延时和脉冲控制的一类神经网络的鲁棒同步

具有脉冲的神经网络作为一种典型的混合系统在图像处理、模式识别、优化控制等实际工程中有广泛的应用.在这些应用中,要求神经网络具有鲁棒同步性质.因此,神经网络的鲁棒同步性研究受到许多学者的关注.本文将不确定非线性耦合函数引进到一般类神经网络中,通过构造适当的Lyapunov函数和运用一些不等式分析技术,研究了具有S-分布延时和脉冲控制的神经网络的鲁棒同步性质,得到了保证网络具有一般脉冲鲁棒同步的一个实用条件.