CVD金刚石薄膜的织构分析

采用极图和取向分布函数法分析ＣＶＤ金刚石江膜的不同织构,分析表明,高的多重性因子使得｛１１０｝面织构有更高的出现概率,具体分析了｛２２１｝面织构出现的孪生机制,强调了织构与性能关系研究的重要性,并推荐使用先进织构分析手段。     

灌注式半刚性面层乳浆材料试验研究

通过对灌注式半刚性面层乳浆材料试验研究,确定了乳浆材料的容重、水灰比、稠度、稳定度等技术指标,并提供了一些有效的测试方法,为灌注式半刚性面层的进一步研究奠定了一定的基础.     

平面薄膜在内压作用下的大变形分析

建立了平面薄膜在内压作用下的非线性基本方程。用能量法求解了矩形平面薄膜的近似解。用解析法求得了无限长条平面薄膜的精确解。并与能量法的近似解以及急略面内压力的解析解进行了比较。     

氢化碳膜的胺掺杂及其对甲酸蒸气的质量传感特性

通过将其他元素或原子基团掺入氢化非晶碳膜网结构中的方法,可以实现对α－Ｃ：Ｈ薄膜的改性,赋予α－Ｃ：Ｈ膜新的特性,从而满足某些特殊应用的需要,用含胺基的碳氢化合物正丁胺作为碳源,用等离子体增强化学气相沉积方法制备α－Ｃ：Ｈ膜．薄膜的红外光分析表明胺基团已掺入薄膜的网络结构中,喇曼光谱分析表明薄膜具有无序态碳、三配位碳和四配位碳原子的混合结构,但主要成份为无序态碳,将掺胺的α－Ｃ：Ｈ薄膜作为质量传     

类金刚石薄膜的喇曼光谱高斯分解研究

采用过滤式阴极电弧沉积的方法获得类金刚石薄膜.喇曼光谱的分析表明,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜.喇曼光谱的高斯分解研究表明:随着偏压的增加,D线和G线的位置__d、__g向低频移动,半高宽F_g减小、F_d增加,在偏压为-100V时,D线和G线强度比I_d/I_g有最大值.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

用超声喷雾热分解法制备二氧化锡薄膜

以二氯化锡为原料,乙醇和水为溶剂,铝片为基片,空气为载气和氧气源,基片的温度控制在400℃,用超声喷雾热解的方法,直接得到二氧化锡的薄膜,对影响薄膜形成的条件(主要是雾化速度、栽气流速、基片的温度、雾化液浓度和溶剂的比例)进行了研究,使用X一射线衍射对薄膜进行了表征,并用SEM对膜的表面进行了观测.     

基于神经网络方法预测薄膜的功函数

首次利用前馈３层神经网络模型,结合薄膜场发射的特性,建立了场发射薄膜功函数的神经网络预测模型,并用金刚石薄膜的实验数据样本进行了验证,结果表明,该模型预测的相对误差小于６．４％,具有很好的预测性能,从而可以通过已知薄膜的功函数来预测未知薄膜的功函数。     

罐形磁芯法测量软磁薄膜复数磁导率的研究

介绍了罐形磁芯法测量软磁薄膜材料磁导率的磁路结构原理,根据磁路磁通分布,给出了计算的等效磁路;推导了复数磁导率的计算表达式;利用罐形磁芯法在阻抗分析仪上测量了几种软磁薄膜样品的复数磁导率,并与冲击法的实验结果做了比较,获得了较为一致的结果。     

对氨基苯乙酮双缩硫代对称二氨基脲与铜锌铁锡铅配？…

合成了新的含硫希夫碱配体对氨基苯乙酮双缩硫代对称二氨基脲,在以此化合物为配体的非水溶剂中,用Ｃｕ,Ｚｎ,Ｆｅ,Ｓｎ,Ｐｂ金属做阳极,首次用电化学金属阳极氧化法合成了对氨基苯乙酮双缩硫代对称二氨基脲（ＨＬ）与Ｃｕ（Ⅰ）,Ｚｎ（Ⅱ）,Ｆｅ（Ⅱ）,Ｓｎ（Ⅱ）,Ｐｂ（Ⅱ）的金属配合物,通过元素分析,红外光谱,紫外光谱,磁化率、摩尔电导率等对配体和配合物进行了结构表征。