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71.
利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能. 相似文献
72.
一种SOL-GEL制备钛酸锶钡(BST)薄膜新路线的工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐,采用sol-gel技术制备Ba1-xSrxTi O3(BST)铁电薄膜的工艺过程.以碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料,采用sol-gel工艺制备BST薄膜,对比研究了用两种混合溶剂制胶和制膜的工艺.通过XRD分析了薄膜的结构,用AFM测定表面形貌,结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,并制备出膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜. 相似文献
73.
采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀. 相似文献
74.
用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值. 相似文献
75.
自旋分别为1/2及3/2的双层铁磁薄膜磁性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用变分累积展开的方法.考察了由自旋分别为1/2及3/2的两个铁磁单层膜组成的双层膜系统的自发磁化强度随温度的变化情况,特别是在自旋为3/2单层的单粒子各向异性对这种变化的影响,获得了这种变化的特征行为. 相似文献
76.
ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上· 相似文献
77.
采用真空镀膜技术制备了TiO2MgF2薄膜湿敏元件,仔细研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.结果表明工作频率为100Hz时,该元件在全湿度范围内具有良好的阻抗-湿度特性,感湿特性曲线线性良好;元件具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点. 相似文献
78.
超声功率对锡锑合金凝固组织的影响 总被引:11,自引:0,他引:11
超声处理是改善金属凝固组织、提高材料力学性能的一种有效方法。该文研究了不同功率的高能超声对锡锑合金凝固过程的影响,分析了高能超声细化凝固组织的机理。随着声声功率的增加,合金组织得到了均匀细化,偏析消除;但功率提高到一定程度,细化作用衰减。 相似文献
79.
基于光纤布喇格光栅调谐的增益控制掺铒光纤放大器 总被引:5,自引:0,他引:5
在掺铒光纤放大器的输人端和输出端分别接入一个波长相同的光纤布喇格光栅,利用简支梁波长调谐的方法调节两布喇格光栅波长的间距,在一定范围内,实现了增益大小可调的增益控制.在增益控制范围内,EDFA的增益控制在0.4dB之内。 相似文献
80.
P物质是一种广泛存在于哺乳动物中枢及外周神经元系统中的11肽。采用有机溶剂分级法提纯鸡脑P物质,紫外分光光度计测定含量,聚酰胺薄膜层析分析氨基酸组成。结果表明:鸡脑P物质的氨基酸组成和N端氨基酸与资料中完全一致。 相似文献