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51.
以SrS∶Ce和ZnS的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光(TFEL)器件,研究了新法制备的SrS∶Ce膜的光致发光(PL)性能和它的电致发光(EL)器件的电致发光性能,并与直接用SrS∶Ce粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比.结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ZnS的引入弥补了在SrS∶Ce薄膜S的不足,避免了直接用SrS∶Ce材料蒸发而采用的共S蒸发方法中S气氛对环境的污染. 相似文献
52.
KTiOAsO4(KTA)晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用[1].KTA与另一种已知的性能出众的非线性光学材料KTiOPO4(KTP)相比,具有更高的非线性光... 相似文献
53.
合成了两种有机锡含氮双齿配体配合物,通过元素分析、IR和^1H NMR对其结构进行了表征,并考查了它们的生物活性。 相似文献
54.
55.
前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度(pH值)对薄膜结构和结晶性的影响.pH<2和pH>35的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Bi2Ti2O7和Bi2Ti4O11杂相.pH=25~35的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Bi4Ti3O12结构的取向薄膜 相似文献
56.
周幼华 《湖北大学学报(自然科学版)》1998,20(1):46-50
介绍了Solgel法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程,研究了BiTi溶胶在Si基片上的匀胶规律;用TGDTA和TEM技术研究了BiTi干凝胶的形态,并成功地在Pt/Ti/Si基片上制备了c轴取向的Bi4Ti3O12薄膜. 相似文献
57.
研究了MnBiAlGe合金薄膜的磁光特性,并着重探讨Ge在合金薄膜中组分变化对磁光特性的影响,得出了当Ge为0.3时,其克尔角可达1.75°,是很有希望的新型磁光材料. 相似文献
58.
计算了包含不同自旋取向的单畴粒子具有短程交换相互作用能,各向异性能及长程偶极相互作用能的磁性超晶格的静磁能,利用能面图和局域能量极小模型得到了磁相图和磁滞回线,研究了有限尺寸和温度效应,计算结果较好解释了在超薄磁性薄膜中观察到的两种磁相(磁化强度平行和垂直于薄膜平面)的转变行为。 相似文献
59.
李晓薇 《河北师范大学学报(自然科学版)》1998,22(3):335-339
运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。 相似文献
60.
高取向KTN薄膜的PLD法制备研究 总被引:4,自引:1,他引:3
用Sol-Gel法自制了KTN陶瓷,以之为靶材,首次在单晶硅上用PLD技术沉积了KTN薄膜。 相似文献