用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

常压射流等离子体处理PET膜诱导自由基研究

为了考察常压射流等离子体(APPJ)处理对PET膜表面诱导自由基及其引发接枝共聚反应的效能,采用电子自旋共振技术(ESR)对APPJ处理前后PET膜表面生成的自由基及其衰变行为进行测试分析,并与接枝率测试结果进行对比。结果表明:纯He气体的APPJ处理更易引发PET膜表面生成自由基,处理时间越长,膜表面自由基浓度越高,自由基产物的稳定性受存储条件影响显著,自由基浓度越高的样品对应的接枝率也越高。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

铬（Ⅲ）—尼克酸配合物合成方法的改进及其与酸反应特性的研究

为了避免Ｃｒ（ＯＨ）３引起的污染,本文用改进的方法合成了配合物Ｃｒ（ｎｉｃ）２（Ｈ２Ｏ）３ＯＨ,这里ｎｉｃ表示尼克酸根。通过红外光谱、热分析对其结构进行了表征。结果表明,尼克酸以羧基氧与铬（Ⅲ）配位。对该配合物与酸的反应特性和可能的机理进行了研究讨论。     

一种跨膜受体偶联离子通道调控网络模型研究

以一种受体偶联钙离子通道为例,讨论了普遍存在的细胞信号跨膜传递中的离子通道启闭的控制功能,对Ｂｒａｙ和Ｌａｙ的跨膜信号传递模型进行了改进,给出了一种跨膜受体偶联离子通道调控的网络模型,运用单细胞显微荧光测量（Ｃａ＾２＋）技术,测量了单个ＳＨ－ＳＹ５Ｙ细胞内游离钙离子浓度的变化,说明了此模型能够较好的完成离子通道的控制功能,并给出大关于此模型的一些讨论。     

竖壁下降液膜受热流动的不稳定性分析

利用液膜自由表面的温度随波动变化的关系,从理论上分析了饱和液膜在竖壁上受热流动因温度不均而存在表面张力波动的流动不稳定性,讨论了波数,雷诺数,壁面和液膜温差的影响。     

石墨炉原子吸收测定生物样品中痕量铬的基体比较研究

对石墨炉原子吸收分光光度法测定生物样品中痕铬的基体改进剂进行了比较研究,选ｇ（ＮＯ３）２为基体改进剂,拟定了不需校正背影、不用分离直接石墨炉原子吸收法测定痕量铬的分析方法。     

C60溶液,孤立分子及薄膜形态电子态结构分析

系统地给出了Ｃ６０在固态薄膜及不同有机溶液形态下的常规吸收光谱和三同商吸收光谱,确定了各相关光学跃迁能量,并通过对可见区电子－－振动光谱结构的指认分析,给出了有机溶液形态下Ｃ６０的能隙,基于Ｍａｘｗｅｌｌ－Ｇａｒｎｅｔｔ有效介质模型理论,由不同有机溶剂形态下Ｃ６０电子态能级结构参数外推获得了Ｃ６０孤立分子的本征电子态能级结构参数,从而为详细了解和研究Ｃ６０分子不同形态下电子态结构的变化提供了较完整     

极性晶体膜中极化子的性质

使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质．对ＧａＡｓ进行了计算,结果表明：在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变．     

水平管内环状流下两相强制对流蒸发的理论研究

分析了液膜内动力和换热特性,提出了一种环状流下的两相强制对流蒸发的６层速度分布模型,并利用比拟理论进行了分析和计算,预测其换热系数,通过与数据对比,结果表明预测值与实验数据有较好的一致性。