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131.
根据掺铒波导光放大理论和耦合器传输矩阵,建立了描述掺铒波导环形腔激光器的理论模型,在此基础上分析了环形腔弯曲半径、耦合器耦合系数和掺铒离子浓度等因素对泵浦阈值和激射光输出特性的影响.结果表明由于受到波导弯曲损耗和其他机制损耗的共同作用,存在一优化弯曲半径使得波导环形腔激光器在较低阈值泵浦功率下实现较高的斜率效率;激射光输出耦合器作为激光谐振腔损耗的一部分,其耦合系数的大小影响到激光器的特性,在耦合系数为0.2附近处可获得较高的激射光输出功率;铒离子掺杂浓度在0.85×1026m?3时具有最低的阈值泵浦功率,在不引起明显上转换效应的条件下,适当的增加铒离子浓度可以提高激射光波的输出功率.研究结果为掺铒波导环形腔激光器的设计和制作提供了理论依据. 相似文献
132.
为探究山东长岛养殖坛紫菜(Pyropia haitanensis)的最适营养盐条件,对不同氮、磷浓度下坛紫菜的生长、光合色素含量、营养成分(粗蛋白、粗脂肪、灰分)和氨基酸组成进行测定分析,并评价其营养价值。结果显示:山东长岛养殖的坛紫菜在氮、磷加富浓度分别为50μmol·L-1、3.13μmol·L-1时生长速率最快,叶绿素a、类胡萝卜素、藻红蛋白及藻蓝蛋白含量均显著升高,但在氮、磷浓度分别高于200μmol·L-1、12.5μmol·L-1时其生长减缓。坛紫菜对氮、磷的吸收速率受营养盐浓度的显著影响,在氮、磷浓度分别高于200μmol·L-1、12.5μmol·L-1时,其对NH+4-N的吸收速率显著高于NO-3-N。氮、磷加富培养使坛紫菜营养成分的含量呈显著变化,其中粗蛋白和灰分含量显著增加,而粗脂肪的含量则显著降低;氨基酸总量以及呈味氨基酸占总氨基酸的比值(DAA... 相似文献
133.
为探明氮密互作对小麦产量以及籽粒品质的调控效应,以江淮地区两个主推小麦品种'宁麦13'(NM13)和'皖西麦0638'(W38)为材料,采用裂裂区设计,主区为品种,裂区为氮肥处理,裂裂区为种植密度,设置纯施氮120 kg/hm2(N1)、180 kg/hm2(N2)、240 kg/hm2(N3)3个氮水平,180万株/... 相似文献
134.
本文用六方氮化硼和石墨靶材采用射频(频率为13.56MHz)磁控溅射法沉积硼碳氮薄膜,得到的硼碳氮薄膜可用红外,拉曼表征。工作气压从0.2Pa升高到6.0Pa。我们可以观察到工作气压可以明显的改变硼碳氮薄膜的晶体结构和结晶度。硼碳氯薄膜的半高宽随工作气压的增加而变化并且在工作气压1.0Pa时得到较好结晶度的薄膜。 相似文献
135.
136.
在分子图邻接矩阵的基础上,定义并计算了TIBO类衍生物原子的点价值iδ,利用图论方法建构了新的分子连接性指数mE,基于多元回归技术发展了对TIBO类衍生物药物的活性参数作出精确估算的定量结构-活性相关关系,得到的多元回归方程为:P=-274.563 80E-1 65.530 61E-1-149.681 6Jx-'1 26.084 7计算结果表明,抗H IV-1活性参数的计算值和实验值的一致性令人满意。 相似文献
137.
金属有机化合物化学气相淀积含钛硬质涂层的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在用文题淀积方法制备出氮化钛、碳氮化钛和碳氮氧化钛硬质涂层的基础上,用表面分析手段分别进行了成分、结构分析、形貌观察和硬度测定。结果表明:以二乙胺基钛为原料可分别在773K和973K淀积氮化钛和碳氮化钛涂层;用钛酸异丙酯和钛酸丁酯可分别在973K和1073K获得碳氮氧化钛涂层。所得的涂层表面光洁度高、与基体附着性好、硬度满足实用要求。相比于普通化学气相淀积方法,本法在制备硬质涂层上有两大优点:(1)淀积温度降低,扩大了基体的选用范围;(2)固溶体涂层的获得扩大了涂层的适用范围。 相似文献
138.
为了解华西雨屏区人工植被类型对土壤氮库及其有效性的影响,选取华西雨屏区7种典型人工植被类型:橘树(Glycosmis cochinchinensi5)迹地、橘树林地、巨桉(Eucalyptus grandis)林地、玉米(Zeamays)地、香樟(Cinnamonum camphora)林地、柚子(Citrus mnxima)林地和桃树(Pmnnus persica)林地,于2010年7月分别采集土壤根层与根下层原状土样,分析其氮库及有效性。结果表明,华西雨屏区几种典型人工植被类型均表现出较大的氮库特征,但不同人工植被类型间具有较大的差异。相对于其他植被类型,玉米地根层和根下层土壤氮库均相对较小,而橘树、柚子和桃树林地根层土壤氮库相对较大,巨桉、香樟和桃树林地根下层土壤氮库相对较大。然而,玉米地具有较高的根层土壤铵态氮和硝态氮含量,但巨桉林地具有较低的根下层土壤铵态氮和硝态氮含量。这些结果为区域氮素合理利用、土地利用结构调整以及生态环境建设提供了一定理论依据。 相似文献
139.
韩建超 《上海理工大学学报》2016,37(1):43-47
在探讨组分过冷数学模型的基础上,针对重掺砷CZ单晶硅的生长,理论计算了防止组分过冷时固液界面处晶体温度梯度GS的临界值为51.32~33.10 K/cm.以此为依据,设计了具有较大温度梯度的18寸(60 cm)晶体生长热场,以数值模拟的方法,给出了固液界面处晶体的温度梯度GS的模拟值为54.68~38.14 K/cm.在晶体等径生长的各个阶段,固液界面处晶体的温度梯度GS的模拟值均在防止组分过冷的临界值之上,可以有效避免晶体生长过程中组分过冷的发生,并利用实际晶体生长试验的结果验证了以上分析的有效性. 相似文献
140.