过渡金属掺杂的立方型ZrO_2催化剂处理含酚废水

采用共沉淀法制备了一系列过渡金属(Cu,Mn,Co,Fe,Ni,Cr)掺杂的ZrO2催化剂,XRD表征.表明属于立方型ZrO2结构.在250 mL间歇式反应釜中,反应温度150℃,初始压力为3.5 MPa,反应时间90 min的条件下,对苯酚(2.1 g/L,COD质量浓度为5 000 mg/L)的催化湿式氧化结果为:COD去除率为12.6%~83.1%.其催化活性顺序为:Cu-ZrO2>Mn-ZrO2>Co-ZrO2>Ni-ZrO2>Cr-ZrO2>Fe-ZrO2.研究了催化剂Cu-ZrO2在不同反应条件下对COD去除率的影响.     

用化学合成法制备ZnS：Mn纳米晶

本文报道了一种用化学合成法制备硫化锌掺锰纳米晶的方法。制成的两种纳米晶直径分别为３．０ｎｍ和３．６ｎｍ，紫外吸收峰分别在２６１ｎｍ和２７７ｎｍ，相对于体材料吸收带边的３４０ｎｍ的明显的蓝移。用３１０ｎｍ光激发的发射光谱峰值分别为５７９ｎｍ和５８２ｎｍ，表明锰已掺入ＺｎＳ纳米晶之中。     

金刚石薄膜场致发射的研究

给出了以硅片和钼片作基底,在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石 薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱.测试结果表明,掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密 度可增大一个数量级.     

邻苯二甲酸铕锶体系荧光性能研究

类似无机荧光材料中掺杂办法,将稀土荧光络合物掺入络合物基质中,降低稀土浓度,得到新型稀土络合物发光材料。测定了基质及络合物的红外、荧光光谱和部分顺磁谱,讨论了可能的发光机理。     

BaTiO3基抗还原陶瓷材料的研究

研究了ＢａＴｉＯ３基抗还原陶瓷材料的结构和介电性质,讨论了ＺｒＯ２、ＭｎＯ和ＢＴ系中摩尔比ｍ对瓷料抗还原性能和介电性能的影响。通过调整上述参量加入适量的添加剂,获得了在氮气中烧成并符合Ｆ组性能要求的ＢａＴｉＯ３基抗还原陶瓷材料。     

MgSO4:Dy,Mn磷光体的热释光和ESR特性研究

通过双掺杂制备杂质浓度不同的ＭｇＳＯ４：Ｄｙ,Ｍｎ磷光体,经＾６０Ｃｏγ辐照后,研究其热释光（ＴＬ）发光曲线、热释光动力学特微参量,热释光剂量响应和电子自旋共振（ＥＳＲ）谱,从ＴＬ发光曲线观察到ＭｇＳＯ４：Ｄｙ,Ｍｎ只有一个在３８℃附近的主剂量峰,辐射剂量响应（０．１Ｇｙ－２０ｋＤｙ）为超线性,并观测到热释光剂量响应的非线性特性与磷光体中掺入的Ｍｎ浓度相关,在室温下测量了掺入不同Ｍｎ浓度的ＭｇＳＯ     

锑铌施主掺杂对BaTiO3基LPTC电阻的影响

研究了Sb2O3,Nb2O3不同施主掺杂BaTiO3基热敏LPTCR性能,对掺Sb2O3和掺Nb2O3的热敏陶瓷复合制得的LPTC进行了研究,对其机理进行了讨论。     

光折变晶体双光束耦合调制度变化特性的研究

测量了Ce:KNSBN晶体双光束耦合调制度随入射光强比的变化特性,用中间段光折变理论对变化关系进行了参数理论分析,理论结果和实验结果定性符合。     

Li2O掺杂Li4SiO4导体材料的合成及离子导电性研究

采用溶胶－凝胶法,经Li2O掺杂,合成了Li4SiO4-xLi2O(x=0.00-0.50)离子导体材料,并用DTA－TG,XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试,结果发现,用溶胶－凝胶法可降低Li4SiO4的合成温度;随Li2O的掺入可增强基质材料的致质材料的致密性提高了其离子的导电性能,而以x=0.30为最佳。     

掺杂铜的尖晶石型LiCuxMn2—xO4正极材料研究

通过传统高温固相合成与溶胶－凝胶方法合成了掺杂铜的晶石相锂离子电池正极材料LiCuxMn2-xO4(x-0.1,0.2,0.3,0.5）,XRD测定了合成产物的物相,结果表明即使在x=0.5时,其最终产物都表现为单一的晶石相,溶胶凝胶方法合成了产物其初始容量要比相应的高温固相合成产物高约10％。尽管通过铜的部分取代,的初始容量有所下降,但其不性能却得到了很好的改善。