影响货车轮对超声波探伤波形的原因分析及建议

主要分析了影响铁路货车轮对超声波探伤波形的原因,并且提出了改进建议。     

N-对氯苯基甲基丙烯酰胺的合成及其与甲基丙烯酸甲酯共聚合的研究

本文合成了N-对氯苯基甲基丙烯酰胺(N-p-ClPhMA),制备了N-p-ClPhMA与甲基丙烯酸甲酯(MMA),N-p-ClPhMA与丙烯酸甲酯(MA)两种共聚物。 用~1H-NMR方法测定了N-p-ClPhMA与MMA及N-p-ClPhMA与MA共聚合的竞聚率。 共聚体是一种无色透明的玻璃体。     

苯乙酮、对甲氧基苯甲醛和芳香胺的Mannich反应

苯乙酮与对甲氧基苯甲醛和芳香胺在少量浓盐酸或HCl-EtOH溶液催化下直接进行Mannich反应,用一步法合成了6个相应的Mannich碱,其中有3个是新的有机化合物,产率高达60%～73%.本文还对Mannich碱生成的条件进行了讨论.     

N—对羧苯基松香马来酰亚胺的合成及结构测定

本文研究一种能用于合成新型高热性能的聚酰亚胺酯或聚酰胺酰亚胺的单体——N—对羧苯基松香马来酰亚胺的合成原理、方法及其结构的测定数据.在加热条件下,松香和马来酸酐(1:1投料量)发生Diols(?)Alder反应生成松香—马来酐加合物(RMA)的产率为79％;在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)存在下,松香—马来酐加合物与对氨基苯甲酸反应获得的N—对羧苯基松香马来酰亚胺(PRMID)的产率为90.4％.溶解性等物理性质、红外光谱、核磁共振氢谱测定的数据表明产物的结构为标题化合物.热重分析(TGA)测试的曲线表明,产物具有较高的热稳定性能.     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

逆序对合对应的构造

本文揭示了逆序对合对应的一些构造性质,证明了集合幂集到自身的一个映射是逆序对合当且仅当它是取补运算与一个对合映射的复合,讨论了完备链上逆序对合对应的构造.     

对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响

对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。     

TD－族的换位表示

给出ＴＤ－族的换位表示，并讨论了换位表示与定态ＴＤ－方程之间的关系。     

三价稀土（Eu,Tb）离子在对碘苯甲酸钡中的发光

二价钴、镍、锰等过渡金属离子对碘苯甲酸化合物的红外和紫外光谱、磁性、Ｘ射线分析以及热谱性质已有较详细的报道￣［１～４］，但有关对碘苯甲酸稀土化合物的研究尚未见诸于文献。本文合成了三价铕和铽的对碘苯甲酸化合物以及Ｅｕ￣（３＋）和Ｔｂ￣（３＋）掺杂的对碘苯甲酸钡系列固体荧光样品，测量了它们的荧光激发和发射光谱，研究了Ｅｕ￣（３＋）和Ｔｂ￣（３＋）离子含量与样品发光强度的关系。