基于斯格明子的自旋转移矩纳米振荡器的微磁学模拟

最近,人们发现了一种性能优良的新型磁性结构——斯格明子,为了解决传统微波发生器件能耗高、频谱窄等一系列问题,人们提出设计一种基于磁性斯格明子的自旋纳米振荡器。该器件的研发还处于理论设计阶段,因此有必要对斯格明子在器件中的产生及振荡机制进行研究。本文采用微磁学模拟方法,探究了极化电流密度以及DMI(Dzyaloshinkii-Moriya interaction)对斯格明子成核的影响规律。着重模拟了单个斯格明子在纳米圆盘中的振荡行为,并总结了电流密度以及DMI对斯格明子进动频率以及进动半径的影响。最后,探索了斯格明子个数对振荡器输出频率的影响,以期对该器件的研发提供理论预测和指导。     

同轴腔变容管调谐振荡器

从体效应管、变容管的等效电路、特性．准确的参数表达式着手分析并、串振荡电路．根据管子参数、振荡频率能较准确地设计实用的压控振荡器．同时采用双变容管反向串联以增加调谐带宽，减少谐波，改善频谱．改善调谐线性．据此给出一个应用频段在５～９ＧＨｚ；调谐带宽＞１ＧＨｚ；输出功率＞１０ｍＷ；调谐速度＞１ＧＨｚ／ｕｓ； 主杂波比≥２５ｄＢ的宽带同轴压控振荡器实例．该振荡器已在数种电子对抗设备上长期稳定工作．