“严进宽出”职教背景下的中高职衔接模式思考

在对我国中高职现行主要衔接模式进行深入剖析的基础上,提出了针对我国高职教育"严进宽出"实际的、基于中期择优分流的"2+1+3"衔接模式,并对其实施保障进行了讨论。     

溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 12m时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顾力达到5966 Oe,克尔角为0.413 °.     

溅射法制备梯度薄膜研究进展

梯度薄膜是一种涂覆型梯度材料,具有均质薄膜无法比拟的优越性。溅射法效率较高且环保,较广泛地应用于梯度薄膜的制备。对于反应溅射,可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。对于非反应溅射,可通过溅射一系列不同成分比的靶材制得梯度薄膜,但成本较高,且梯度层有限。而通过连续改变溅射参数来制备梯度薄膜是较常用的方法。     

激光溅射下聚甲基硅氧烷的结构重组

以脉冲激光溅射作用于聚甲基硅氧烷,产物经真空升华分离和重结晶,得到了一种产物的单晶。经Ｘ－射线晶体衍射测定确定了其为具有（ＣＨ３ＳｉＯ１．５）１０组成的硅氧烷,该种产物具有多环立体空间构型。结果表明,在脉冲激光的作用下,反应物的链状结构发生解离,并在等离子体条件下进行结构重组,生成了具有立体空间构型的产物。     

论无标度网的增长和择优

增长和择优机制是无标度网络中两种重要的演化机制,已发现比较重要的择优机制有度择优和秩次择优,比较重要的增长方式有星形图增长和完全图增长.该文首先分析了秩次择优机制对网络度指数的影响,指出可以利用秩次择优来构造度指数在较大范围内变化的模型. 接下来分析了星形图增长和完全图增长的优缺点,并提出了更符合实际情况的模体增长方式,然后结合秩次择优机制和模体增长方式提出了一个新模型——模体增长秩次择优模型,该模型除了具有较宽的度指数范围外,还在度指数大于2.5时具有独立于网络规模的群集系数.     

束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响

本文论述了用离子束溅射淀积非晶硅(a-Si)和氢化非晶硅(a-Si:H)的方法,提供了加速电压和衬底位置改变对薄膜暗电阻率的影响结果,通过有关淀积工艺条件的研究,得出了一些有用的结论。     

论干部任用择优汰劣机制

文章分析了干部任用择优汰劣机制实施的基本情况、存在的问题及原因,并从健全党政领导干部公开选拔制度、差额选举制度、干部任期制度和选任干部的监督制度等几个方面阐述了建立、完善干部任用择优汰劣机制的主要对策.     

相互作用势对溅射模拟计算结果的影响

一、引言 研究固体靶中原子碰撞如背散射、溅射、辐射损伤和离子注入等问题,描述粒子间相互作用的作用势起十分重要的作用。这是因为经典两体碰撞散射角θ(ε,b)与作用势B(x)有如下关系: