关于反射光偏振态的探讨

讨论反射光偏振的理论依据是麦克斯韦电磁场理论，与介质的折射率、入射光的偏振态及入射角有关，注意相位的改变，然后依据菲涅耳公式来判断。     

插值Blaschke积的两个刻划定理

信据Ｂｌａｓｃｈｋｅ积在Ｈ＾∞的极大理想空间Ｍ上的零点分布，给出了Ｂｌａｓｃｈｋｅ积是插值Ｂｌａｓｃｈｋｅ积的两个刻划定理。     

Leibniz公式在矩阵各种乘积上的推广

本文主要论证下列公式:〔AB〕~(·)=ΣC_a~nA(a-b)B(k)k=0〔A·B〕~(a)=ΣC_n~a(a-k)·B(k)k=0〔A×B〕~(a)=ΣC_a~nA(a-k)×B(k)k=0其中A,B为函数项矩阵且有各阶导数,AB代表A与B的通常乘积,A·B代表A与B的Hadamard乘积。A×B代表A与B的Knonecker积,即直和或张量积.     

多参数Wiener过程平方函数积分的重对数律

设Ｗ（ｔ）是ｄ维参数Ｗｉｅｎｅｒ过程，我们在此文中证明     

空间曲线的Crofton公式

这篇文章论述了空间曲线的Crofton公式,将平面上的Cauchy—Crofton公式推广到空间情形。     

一种基于一元插值的网格化方法

针对地质数据点的空间分布特点，提出了一种一元网格化方法，探讨了几种常用一元插值方法的应用，并与Ｎ－Ｐ法进行了对比，说明了一元网格化方法的特点．     

系统设计的正式方法和模型

微电子设计的规模和设计能力之间的鸿沟正在越变越大，需要工具和技术去填补这一鸿沟。另外，我们也需要更新颖的方法以使理论能变为实际。本书正是出于这个目的而编写的。全书总结了以往各种正式的结构分解、抽象和精练的方法，重点强调了系统的行为和结构特性。书中的内容是以一系列学术论文的形式呈现给读者。论文的作者都运用自己的正式方法以完成软硬件设计，提供开发方法和工具的优化，或形成理论公式。     

关于扰动单位根上的复Hermite插值多项式

本文给出了基于扰动单位根的Hermite插值对As(|z|<1)中函数f(z)及其导数的同时一致及平均逼近阶。