F_e~+注入Si中的研究

本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不是均匀地分布在注入层中,而是处在高浓度集中的微区中,并处在替位位置。低温退火后尽管晶体电学特性已基本恢复,但多数铁仍处于非电活性状态。高温退火后在注入层中形成铁硅化合物相的观点进一步由离子探针的实验结果得到证实。高温退火后晶体电阻率较大可能是由于铁硅化合物的析出在晶体中产生了大量的缺陷。     

穆斯堡尔共振吸收体的制备

主要从实验技术和方法学的角度，讨论测量用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ共振吸收体厚度对ＭＳ谱质量的影响，并结合实例探讨Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ共振吸收的具体制备方法。     

白光双谱斑的干涉方法

本文介绍在4F体系中,用白光照明下,把两块相同的位移光栅,平行叠加放在物面上,由于两块光栅相对位移,引起谱面上谱斑相移,在谱面上选两个谱斑作干涉的次波波源,在像面上可获得干涉图样的实验方法和理论分析.     

多重特征值处分岐解的稳定性

本文讨论形如这类运动方程的平衡态分歧解(即M(x,λ)=0的分歧解)的线性化稳定性问题。本文采用一个算子的K谱概念,考察广义的算子演算,推广了线性泛函中的预解式,进而推广泛函分析中关于谱摄动的某些结果,在半单特征值以及K在KN(L(0))上存在广义逆和由M(x,λ)=0导出的分歧方程为F(u,λ)=0的条件假设下,得到关于平衡态分歧解的线性化稳定性可由关于平衡态分歧解的线性化稳定性确定的结论,将Sattinger,D.H.的结果作为定理3.9当K=I时的特例。     

H-矩阵的刻化及一类实矩阵逆的上下界估计

 H-矩阵是一类有很强应用背景的矩阵,首先利用矩阵的分裂刻划了H-矩阵;然后给出了更精确的H-矩阵逆的上下界估计;进而把该结论推广到一类实矩阵.所用方法不同于以往有关结论,并改进了最近的相关结果.     

Temperature dependence of surface enhanced Raman scattering on C<Subscript>70</Subscript>

The temperature dependence of surface enhanced Raman scattering of the C70 molecule is reported. The Raman scattering of C70 molecules adsorbed on the surface of a silver mirror was measured at different temperatures. The experimental results indicate that the relative intensities of the Raman features vary with the temperature of the sample. When the temperature decreases from room temperature to 0℃, the relative intensifies of certain Raman bands decrease abruptly. If we like the strongest band 1565cm^-1 as a standard value 100, the greatest decrease approaches to 43%. However, with the further decrease in the temperature these relative intensities increase and resume the value at room temperature. And such a temperature dependence is reversible. Our results show that the adsorption state of the C70 molecules on the silver surface around 0℃ changes greatly with the temperature, resulting in a decrease in relative intensities for some main Raman features of C70 molecule. When the temperature is lower than 0℃, the adsorption state changes continually and more slowly. Synchronously, eight new Raman features, which have not ever been reported in fiterature, are observed in our experiment and this enriches the basic information of the vibrational modes for C70 molecule.     

不定尺度空间中算子的一些结果

§1. 对于不定尺度空间中的算子,已经有了较多的研究,在[1]中给出了空间Ⅱ_n的公理化的定义,为了和一般的Hilbert空间的情况更接近,我们这里认为不定尺度空间中的负子空间是有限维的。而正子空间的维数为任意的,负子空间的最大维数为k的不定尺度空间就称为H_k型空间一般就记为H_k。在H_k中任意取一个k维负子空间H_-,记它的正交补为H_+,则就有H_k=H_+?H_-任何H_k中的元素x可写成x=x_++x_-(x_+∈H_+,x_-∈H_-)。令‖x‖=((x_+,x_+)-(x_-,x_-))~(1/2)这时H_k按照‖·‖成为一个Hilbert空间,由[1]可知,若取另一个k维负子空间H'_-而作出范数‖·‖'时,两个范数‖·‖和‖·‖'是等价的,以下凡正交,共轭算子等都是按不定尺度(·,·)而言的。而有界算子,闭子空间等都是对于‖·‖而言的,本文的名词都取自[1]。     

石墨C—C键的温度、压力效应及键长的Raman频率表征

本文在20℃～550℃,0GPa～13GPa压力区间内测量了石墨的Raman光谱,并在20℃～1100℃温度范围内做了石墨的X光衍射实验。实验结果表明,TG64型石墨在20℃～750℃温度范围内C-C键长随温度升高而收缩,温度高于750℃时键长随温度升高而膨胀。高压Raman的结果表明,石墨的E_(2q)活性模的频率随压力升高分段线性收缩,分段点在4GPa附近。同时还对在常温常压下利用Raman频率计算石墨C—C键长的Fitzer公式做了修正,并分别给出了温度和压力的修正因子以及C—C键力常数随温度、压力变化的规律。     

阻尼振子的起伏频谱及扩散系数

本文讨论一个最简单的耗散系统，即一个谐振子与热库耦合的系统。给出Ｌａｎｇｅｖｉｎ力Ｇ（ｔ）及算符ａ（ｔ），ａ￣＋（ｔ）的定义，由此算出阻尼振子的起伏频谱及扩散系数。其结果与Ｗｉｇｎｅｒ－ｗｅｉｓｓｋｏｐｆ近似下求得结果完全一致。