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151.
分析了柱形导体对匀强电场的影响并以此为依据说明了有柱形凸起的高压电容器易击穿的原因是最凸部场强为远离凸部场强的2倍。  相似文献   
152.
提高波束域宽带相干信号子空间算法(BCSSM)在低信噪比下的估计性能,并降低其运算量,是BC-SSM在实际系统中得到应用的关键。借助于优化方法,设计具有低旁瓣和恒定束宽特征的时域宽带波束形成器来实现预形成宽带波束,在保证宽带信号无失真接收的同时,能够有效抑制干扰,从而提高了BCSSM在低信噪比下的估计性能。宽带波束形成器采用数字延迟线和FIR滤波器相结合的结构,减少了设计所需FIR滤波器的阶数,显著降低了算法的运算量。设计实例和仿真结果证明了所提方法的有效性。  相似文献   
153.
利用感生电场和电流的磁场相类比的方法和传统的感生电场场强积分法,求解了两无限大的,通有反向变化电流的平行平面之间的磁场所产生的感生电场,比较两种方法可以看出,一定条件下用类比方法简捷有效。  相似文献   
154.
应用有限差分方法计算了工业铝电解槽阴极三维空间的电场分布。讨论了160kA和 135 kA 两种不同容量预焙阳极电解槽的阴极电场特性,绘制出阴极电位等值图,分析了影响阴极电场特性的诸因素。研究了改善阴极性能,促进降低电压降的可能性  相似文献   
155.
156.
157.
本文通过解析法、数值解法和实际的模拟测量,研究了设定的油面电位分布时油罐中静电场分布及轴线上场强变化的情况。为监测油面电位大小提供了一个可行的实测方法。  相似文献   
158.
在摇瓶培养及恒化培养研究的基础上,对含温度敏感型质粒γ干扰素工程菌高密度、高表达的发酵工艺作了探讨。摇瓶培养结果表明,菌体的良好生长状态对外源基因表达起着重要作用,工程菌于对数后期升温,干扰素滴度最高。以葡萄糖为限制性基质的恒化培养,得出了工程菌细胞生长得率与比生长速率之间的关系,同时表明工程菌升温表达前的比生长速率对表达后干扰素的比活有影响,比生长速率在0.10~0.15h~(-1)时比活最大。通过碳、氮、镁的间歇流加培养与连续流加培养,均使工程菌达到高密度与高表达,但以控制比生长速率为目的的连续流加培养较间歇流加比活提高近4倍,棕1.1×10~(10)IU/L。  相似文献   
159.
利用介质阻挡强电离放电的物理方法,在窄放电间隙内获得超强电场,在常压下将N2分子电离、离解,形成N2^ 、N^ 等离子,注入乙酸钠样品,引起其分子结构的变化.通过水合茚三酮反应分析,证明了离子注入后乙酸钠样品中产生了新的化学基团α—NH2.同时紫外光谱的分析进一步证实乙酸钠样品在离子注入后发生了明显的分子结构变化.  相似文献   
160.
根据同一晶向的晶面具有平移周期对称性,将托马斯-费米方程引入晶体的平面沟道中求解Si(110)平面沟道内的电场;然后把求得的结果用于计算平面沟道临界角。结果表明:用托马斯-费米方程求得的平面沟道场能较好地描述Si(110)平面沟道内的电场特征。  相似文献   
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