中国芯片发展状况

系统地总结和介绍了我国计算机芯片的发展现状．以及产品的开发研制情况，大致包括以下几个主要产品：星光、方舟、汉芯、众志、神芯、龙芯等系列芯片。     

浅谈独立主格结构

独立主格结构简称独立结构(Absolute Construction)，没有主语和谓语，属于一种特殊的复合结构，所以在语法上不是句子，它由两部分组成，前半部分多用名词或代词表示逻辑主语，后半部分多用分词或不定式表示逻辑谓语，有时还有其他成分修饰，他是独立于句子之外，并通常在句子中起方式、时间、务件、原因等状语或状语从句作用主要用于书面语，是高中课本中的一个重点也是一个难点。     

TiFe合金电子结构与储氢性能的相关性研究

利用电荷自洽离散变分(SCC—DV—Xa)电子结构计算方法，计算TiFe储氢合金及其氢化物的电子结构，分析电子结构与储氢性能的相关性。结果表明，在TiFe合金氢化物中，H原子进入八面体晶胞中，H原子与Fe原子间成键作用明显比H原子与Ti原子间的成键作用强，使晶胞体积主要沿晶格的[110]方向发生膨胀；TiFe合金八面体晶胞中Ti原子与Fe原子间形成离域键，在吸氢后成键作用有所增强，使合金吸氢后的体积膨胀率较小，这是其反复吸放氢过程不容易粉化的原因之一。     

"岩土二元结构"小流域降雨入渗补给地下裂隙潜流过程初步研究

采用翻斗法自动量水技术和时域反射仪,对"岩土二元结构"小流域降雨过程、流域出口地下裂隙潜流、以及坡地岩土水分的变化进行了测定与分析.结果显示,小流域在前期坡地岩土水分为27.28%(埋深100 cm范围内)的前提下,发生历时122.66h,降雨量193.75mm,平均降雨强度1.58 mm/h的暴雨,在小流域出口处未产生地表径流;但是,地下裂隙潜流对降雨有着明显的响应,起峰和回落过程均较为明显,最大峰值流量达到1370 L/h,是降雨前的21.7倍.这充分说明,小流域坡地特有的岩土二元结构体,特别是其下部风化裂隙岩体具有较强的储、透水性能.太行山片麻岩区坡地"岩土二元结构体"的存在,特别是下部风化裂隙岩体的存在,对缓解洪峰的形成,削减洪峰,降低洪灾具有重要作用.     

掺铝Ni(OH)_2的制备及其电化学性能

利用化学共沉淀方法制备出充放电性能良好的低掺铝量氢氧化镍,并用XRD和IR分析了掺铝氢氧化镍的结构特征.实验结果表明:在氢氧化镍制备过程中适量掺铝可制得比能量较高的α相和β相共存的混合晶型Ni(OH)2,掺铝后α-Ni(OH)2的形成、β-Ni(OH)2相晶粒度的细化及含水量的增加均有利于提高电化学活性.     

利用人工结构表面改善纳米吸波材料的吸波性能

研究了如何利用金属人工结构表面(Meta-surface,MS)的频率特性来改善纳米吸波材料的低频吸波性能.利用等效电路和传输线理论分析了MS和纳米吸波材料涂层双层结构的微波反射特性.采用基于有限元方法的电磁波全波分析软件设计并仿真分析了MS的结构和尺寸,实际制作了MS和纳米吸波材料涂层双层结构,测量了微波反射性能.理论分析和实验研究表明,利用MS可以明显改善纳米吸波材料涂层的吸波性能,改善纳米吸波材料的低频吸波性能.     

SrNdCoO_4陶瓷的磁学性能研究

采用固相烧结方法制得了具有K2NiF4结构的SrNdCoO4陶瓷,并对其磁性能进行了系统研究.结果发现,其磁化强度(M)分别在200K与20K附近随温度降低而迅速增大;150K,200K与275K下的磁化强度-磁场强度(H)曲线分别表现出铁磁性、超顺磁性及顺磁性的特征,表明SrNdCoO4陶瓷在200K附近发生顺磁-铁磁相变,引起磁化强度的迅速增大;在20K附近的磁化强度迅速增大也可从相应温度的M-H曲线特征得到解释.此外,对不同磁场强度时磁阻的温度依赖性以及两个特殊温度点20K与200K处磁阻的磁场强度依赖性进行了评价,得到一些有趣的结果.作者就以上的磁性能评价结果作了详尽分析.     

掺锰改性(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)(Ba_(0.5)Sr_(0.5))_(0.06)TiO_3压电陶瓷的性能和微结构

采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.     

TiO_2复合金属多层膜的近紫外光学性能及其界面稳定性

设计制备了透紫外隔热的Ti O2复合金属纳米多层膜,该膜系可以获得从近紫外到可见光波段高的透射率,同时实现了对红外的反射隔热效应.综合考虑贵金属Ag与Ti O2的界面湿润性与界面粗糙度对于光的散射效应,设计了可以提高多层膜热稳定性的超薄过渡层,研究表明在Ti O2与Ag膜之间加镀一层2～3nm的Ti层可以有效地提高多层膜的热稳定性.AES分析表明,在热处理过程中Ti层发生了不完全氧化而Ag膜则保持金属态不被氧化.AFM观测表明过渡层改善了Ag膜的表面质量缓解了热处理过程中的结块现象.     

五元系PMMSN压电陶瓷材料及其低温烧结

设计并研究了一种新型五元系压电陶瓷材料Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3(PMMSN).以材料的准同型相界附近的组成为研究对象,采用普通合成法、不同合成路径的先驱体法进行材料合成,通过添加低温烧结促进剂实现低温烧结,并研究其对材料性能的影响.结果表明,三组元复合先驱体法合成材料的性能最佳,1100℃烧结样品的性能参数为Qm=1916,kp=0.56,d33=326pC/N,ε33T/ε0=1349,tanδ=0.0043.添加Si O2,CdO可使材料烧结温度降低到850℃～950℃,且基本保持了材料的特性,在低温共烧叠层功率型压电陶瓷器件方面显示出好的应用前景.