厚荚相思组织培养与快速繁殖

以5年生厚荚相思(Acacia crassicarpa)的萌芽茎段为外植体进行了组织培养的初步研究，结果表明：改良的MS 6-BA2．0mg／L NAA0．2mg／L培养基能够较好地诱导芽的分化和增殖；适宜的继代增殖培养基为改良MS 6-BA1．5mg／L NAA0．2mg／L；较为想的生根培养基为1／2MS IBA0．5mg／L，生根率达95．0％；生根苗的移栽基质以黄心土的移栽效果最好，移栽成活率达90．0％。     

(m,n)型二重(R,r)-循环线性系统求解的快速傅里叶算法

利用快速傅里叶变换（FFT）技术，给出了计算系矩阵为非奇异的（m,n）型二重（R，γ）－循环矩陈的线性方程的求解、非奇异（m,n）型二重（R，γ）－循环矩阵求逆的快速算法，证明了它们的计算复杂性均为o(mnlog2 mn）。     

非洲菊的离体培养及其快速繁殖

选用非洲菊（Gerbera jamesonii Bolus)4个黑蕊花品种进行组培快繁研究，结果表明，长0．5－1．0cm的嫩叶在MS＋2．0mg/L 6-BA 0.1mg/L NAA培养基上12－21d均可诱导出芽，分化频率60％以上；继代培养时MS＋0．3mg/L 6-BA 0.1mg/L NAA,MS 1.0mg/L 6-BA 0.1mg/L NAA ey MS 0.3mg/L 6-BA 0.1mg/L PP333 0.1mg/L NAA3种培养基交替使用，平均增殖系数可达5．1；生根培养基为MS＋0．1ms/L PP333 0.1mg/L NAA，生根率达95％以上；生根试管苗移栽于泥炭土中15－20d可以成活，25d后可定植于大田，3－4个月即可开花，该研究为黑蕊花品种种苗产业化提供了快繁技术。     

H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制

作者通过氢气表面热处理，获得了具有较好特性的Al／n—6H—SiC欧姆接触．在这种H2处理后的SiC表面，可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触，而无须进行退火处理．该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触．XPS测试表明，这种欧姆接触是在400℃以上的退化时，由Al及6H—SiC中的Si元素互扩散所致．     

快速原型制造中的数控加工容许速度

对快速原型制造中的数控加工容许速度进行了研究,运用泛灰色不确定性系统理论,建立了加工容许速度与加工半径的不确定性系统优化模型USMO-1,给出了精度检验方法.编制了MATLAB程序,给出了处理实例,并与各种模型进行了比较.该模型不仅适合于等间距建模,也适合于非等间距建模,具有精度高、使用简便等特点,值得在快速原型制造中推广使用.     

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜，反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言，氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加，氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加，可以归因于在退火过程中，薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现，氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降，而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。     

植物组织培养技术及其应用

概述了植物组织培养的基本概念、培养技术及植物组织培养的应用现状。     

泽泻中三萜醇酮类化合物总量的快速测定方法研究

建立了利用便携式小型光谱仪测定中药泽泻中三萜醇酮类化合物总量的比色测定方法.本方法采用具有C 3羰基的甾酮类化合物的专属性Zimmerman显色反应,检测波长为560nm.以23 乙酰泽泻醇B的吸光度和浓度作工作曲线,回归方程为A=2.1009C+0.2116(mg/mL),相关系数为0.9997,23 乙酰泽泻醇B的浓度在0～160mg/mL范围内符合比耳定律,表观摩尔吸收系数ε=5.4×102L·mol-1·cm-1,检出限为11.143mg/mL,回收率为93.0%～109%.该方法简单、快速、廉价,已成功应用于福建地道药材泽泻GAP过程质量控制及泽泻药材品质的评价,指导泽泻药材的生产,具有重大的经济效益和社会意义.     

共焦拉曼光谱仪的白光成像在生物分子拉曼测试中的应用

在研究生物活性分子的表面增强拉曼光谱过程中，利用该拉曼系统的白光成像功能，原位获得银电极表面图像，对电极处理方法进行评估，从而获得理想的实验条件，使生物分子的拉曼光谱质量大大改善．     

某第二类Fredholm积分方程的一种数值解法

我们考虑第二类 Fredholm积分方程的快速数值解法 .本文假设核函数除在 x=t处带有弱奇性外 ,是解析的 [1] .我们利用分片多项式插值逼近核函数 ,由此得到近似的系数矩阵 A.设 n为积分节点的个数 ,k2为每个小区域的插值节点数 ,我们证明矩阵 A的计算和矩阵 -向量相乘 Ax各需要 O( nk)次运算 ,存贮 A需要占用 O( nk)内存 .最后我们对算法的稳定性进行讨论并给出数值结果