用于直接测量磁热效应脉冲磁体的理论设计

采用经典电磁场、有限元数值计算两种方法，设计了一种用于磁热效应直接测量的脉冲螺线管磁体，在螺线管磁体中心处，磁感应强度的计算值及测量值均在2．2T(180A电流时)，且它们之间的误差很小；在以螺线管中心为球心，直径为10mm球内，磁感应强度的均匀度优于1％，达到了脉冲磁体的设计要求。     

高频脉冲电镀镍钴合金的内应力

研究了脉冲频率、硫酸钴浓度对高频脉冲电镀Ni-Co复合镀层微观形貌与内应力的影响.高频脉冲电镀获得的沉积层表面比直流电镀致密、均匀、孔隙率低、内应力低.随脉冲频率的升高,Ni.C0镀层的内应力先减小后增加,并在80 kHz取得最小值.随硫酸钴浓度的增加,镀层的内应力先增大后减小,在30g/L取得最大值.     

La0.67Sr0.33MnO3/PbZr0.4Ti0.6O3/La0.67Sr0.33MnO3外延铁电电容器物理性能

采用脉冲激光沉积法制备La_0.67Sr_0.33MnO₃(LSMO)薄膜,溶胶-凝胶法制备PbZr_0.4Ti_0.6O₃(PZT)薄膜,在SrTiO₃(STO)基片上制备了LSMO/PZT/LSMO异质结电容器.X线衍射(XRD)研究表明LSMO和PZT薄膜在STO基片上实现了外延生长.LSMO/PZT/LSMO电容器具有良好的铁电性能,在5 V测试电压下,剩余极化强度为26.9 μC/cm²,矫顽电压为2.5 V,LSMO/PZT/LSMO电容器显示出了良好的抗疲劳性能.5 V电压下电容器的漏电流密度为7.4×10^-6 A/cm²,在0~2.9 V为欧姆导电机制,2.9~5 V满足空间电荷限制电流(SCLC)导电机制.     

微波对食品微生物的非热生物效应与微波杀菌技术

微波杀菌技术快速、高效、安全、保鲜,广泛应用于食品工业.微波对食品微生物具有热效应和非热生物效应,但其机理尤其是微波非热生物效应的机理,至今还不十分清楚.重点探讨了微波的非热生物效应,并结合微波杀菌的特点,提出今后的主要研究方向仍是微波非热生物效应的机理及脉冲微波杀菌技术.     

使用飞秒脉冲在熔融石英中进行的三维光数据体存储

通过啁啾脉冲放大技术,产生出脉冲宽度为200fs,波长为800nm的超短脉冲激光束,将这种激光脉冲紧聚焦到融熔石英体中,在聚焦点附近通过雪崩电离和多光子电离产生高密度的等离子体,并使等离子体吸收大量的激光能量,在局部产生微爆炸,形成微小的空腔,从而在融熔石英体中记录下三维数据.实验记录了20层存储数据,使存储密度达到3.75×1010bit/cm3.     

实验室中的单片机控制红外线语音防盗报警系统

本文结合国内外红外线防盗报警系统的应用和发展,简要介绍了红外线基础理论,详细介绍了该系统的核心部分之一——被动式热释电红外线传感器,并全面地叙述了该系统的其他部分(如单片机8051及其常用接口芯片、语音芯片T6668、脉冲拨号芯片WE9104及通话电路芯片TEA1062等)的原理及结构。     

脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积的方法在 Al₂O₃（0001）基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB₂ 超导薄膜,采用磁测量（M-T）、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB₂ 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 T_c=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。     

脉冲燃烧的稳定机理

脉冲燃烧是一种高效、低污染的新型燃烧方式，由于内在机理的复杂使得其在推广过程中遇到极大的困难．文中建立了一种新的反馈模型，可定性地分析各部件在稳定燃烧中的作用．在新产品的开发实验中，已验证了该模型的正确，理论部分正在完善之中．     

高压脉冲电刺激下龙舌兰释放负离子的研究

通过对高压脉冲电刺激下龙舌兰(Agave americana)释放负离子的研究,探究光照和CO2对龙舌兰释放负离子的影响,以期为植物源负离子发生器提供理论基础;在密闭玻璃室(2.5 m×2.0 m×3.0 m)内测定和比较了光照和黑暗环境中高压脉冲电刺激下龙舌兰产生的负离子浓度和环境CO2浓度以及不遮光玻璃室中光照强度;结果表明:龙舌兰在高压脉冲电刺激下光照条件下能产生产生较多负离子,且产生的负离子浓度日变化显著;龙舌兰在高压脉冲电刺激下负离子的产生与室内CO2浓度无显著的相关性,与不遮光玻璃室光照强度有显著的二项式相关性。     

Ne气负脉冲电晕放电等离子体电子温度测量

依据荧光发射谱谱线强度正比于激发态粒子数原理,通过测量不同激发态能级所发射荧光谱线的相对强度,对Ne气脉冲电晕放电等离子体平均电子温度随峰值电压、样品气压的变化以及有效电子温度的时间行为进行了实验研究.结果表明,平均电子温度随放电峰值电压、样品气压均呈现近线性的变化趋势;而有效电子温度随时间变化先于脉冲电晕放电电流的变化.