Nd2Fe14B/α-Fe纳米晶双相复合稀土永磁合金的磁性研究

采用单辊熔体快淬法将名义成分为Nd7.5Fe92.5-xBx(x=4．5，5．5，6．5，7．5at．％)的母合金制备成Nd2Fe14B／α—Fe纳米晶双相复合稀土永磁合金薄带．对母合金和合金薄带的磁性能进行对比分析，并分别讨论了合金中硼含量与快淬速度对合金薄带磁性能及薄带厚度的影响．     

高能核-核碰撞中带电粒子的赝快度分布

用柱模型研究了高能核-核碰撞中产生的带电粒子的赝快度分布，蒙特卡罗方法计算的结果表明，柱模型对实验给出的赝快度分布中的涨落现象给出了较好的解释．模型计算结果与200AGeV的质子，^16O和^32S与溴化银中心碰撞，14．6A和3．7A GeV的携Si与溴化银中心碰撞，以及158A GeV的208Pb-^208Pb中心碰撞的实验数据符合。     

快跳频光码分多址系统的误码率性能

分析了差拍噪声对快跳频光码分多址(FFH-OCDMA)系统性能的影响以及FFH-OCD-MA系统中的色散效应，并将色散效应等效为功率衰减因子，得出同时考虑差拍噪声和色散后FFH-OCDMA系统的误码率性能．结果表明，差拍噪声和色散效应严重恶化了FFH-OCDMA系统的误码率性能．指出了FFH-OCDMA系统地址码的设计原则．     

BCH信道编码对快跳频光码分多址系统性能的改善

分析了单重合码的互相关性能，得出了未编码的快跳频光码分多址（FFH－OCDMA）系统误骊率性能的具体表达式。论述了BCH信道编码对FFH－OCDMA系统性能的影响，并将它和未编码的FFH－OCDMA系统进行了比较。结果表明，在相同的信息比特速率，切普间隔，有效波长数时，两个系统的误码率性能基本，但使用BCH信道编码后，单重合码的长度将变短，这样不仅降低了光纤光栅的制作难度，且增加了单重合码的码字数，从而提高了系统容量。     

基于横波分裂的地层裂缝预测方法与应用

多波资料比单波资料含有更丰富的地层信息，特别是利用横波在裂缝介质中的分裂机制分离出的快，慢横波，可进行地下地层的各向异性研究，获取地层裂缝信息，预测出地层裂缝系统的发育方向和发育程度，有助于裂缝性油气藏的研究，作者研究了一套利用多波资料预测地层裂缝的方法，并得到了有效的应用。     

矿物钠快离子导体Na1.2+y Al0.1Yby Zr1.9-y Si0.1P2.9O12系统的研究

精选层状硅铝酸盐矿物高岭石 (Al4[Si4O1 0 ](OH) 8)为起始原料 ,经高温固相反应 (～ 10 0 0℃ )合成了具有架状结构的Na1 .2 +yAl0 .1 YbyZr1 .9-ySi0 .1 P2 .9O1 2 系统 (简称Yb -Nasicon)的钠快离子导体 .XRD分析结果表明 ,当y≤ 0 .7时得到空间群为R3c的合成物 ,当 0 .71.7时出现未知相 .交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明y =1.0的合成物具有最高的离子电导率 ,其在 5 73K和 6 73K时的电导率分别为 1.18S m和 5 .89S m ,473- 6 73K间的电导激活能为 36 .4kJ mol.     

快淬Nd-Fe-B磁粉表面的包覆工艺

快淬Nd-Fe-B 粘结磁粉极易发生氧化和腐蚀，导致粘结磁体性能降低，为此，采用重铬酸盐钝化工艺，硅烷耦联剂包覆工艺，重铬酸盐钝化还原工艺以及重铬酸盐钝化还原－硅烷复合包覆工艺对Nd-Fe-B磁粉进行表面包覆，并采用热氧化增重实验及差示扫描量热分析仪测定包覆处理前后快淬Nd-Fe-B磁粉的抗氧化性能，进而比较各种表面处理工艺的优劣，结果表明，上述工艺方法均能改善Nd-Fe-B磁粉的抗氧化性能，进而比较各种表面处理工艺的优劣，结果表明，上述工艺方法均能改善Nd-Fe-B磁粉的抗氧化性，其中以硅烷耦联剂处理工艺，重铬酸盐纯化还原－硅烷复合包覆处理工艺形成的表面保护层的抗氧化性能为佳。     

电化学数值模拟算法改进及未补偿溶液电阻存在下的快扫？…

本文报道用Ｇ１算法改进了积分方程数值解的一种电化学数值模拟方法,并用它模拟研究了未补偿溶液电阻对快扫循环伏安安曲线的影响,分析了充电电流和法拉第电流的耦合效应,对有效电势校正法和背景电流扣除尘的误差来源和可能的消除方法进行了探讨。     

快堆钠池传热流动计算程序FASTOR—3D的校验计算

为研究快堆池内的流动和传热,采用质量,动量,能量守恒方程和空隙率方法,建立了快堆钠池内三维流动和传热的数学模型,并利用ＳＩＭＰＬＥ计算方法编制了计算程序ＦＡＳＴＯＲ－３Ｄ由于钠池的结构非常复杂,任何一点的设计变动可能改变池内的传热特性给整个快堆带来了巨大的影响,选用１０个比较有代表性的算例,从不同的侧面验证了ＦＡＳＴＯＲ－３Ｄ,计算结果表明,ＦＡＳＴＯＲ－３Ｄ的计算基础是正确的,对于复杂区域的三维     

俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。