硅微条探测器性能的Monte-Carlo模拟

利用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ计算机模拟技术，对拟用于北京Ｔａｕ－Ｃｈａｒｍ工厂前端探测系统的硅微条控制器的物理性能进行了探讨，并为在我国研制高质量的硅微条探测器的可行性取得了一些初步的实验依据。     

GexSi1—x／Si超晶格PIN波导探测器电输运过程分析

文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好。     

TEA脉冲N2激光器及其在测量上的应用

本文以大量的实测照片和数据阐明Ｎ２激光器在测量快速光电探测器、荧光闪烁体和光缆的时间响应、测量脉冲的线性度及传输特性方面的应用。     

14.7MeV中子在^9Be核上散射微分截面的测量

用伴随粒子飞行时间谱仪，测量了１４．７ＭｅＶ中子在９Ｂｅ核上的弹性及２．４３ＭｅＶ能级的非弹性散射微分截面．给出了从１５～１３５°（实验室系）范围内散射截面的数据，以及散射角分布的勒让德系数．对中子通量衰减、电子学死时间和初级束形状等作了修正．实验数据的总误差为４．０％～７．０％，其中统计误差为０．５％～３．５％．     

X射线位置灵敏探测器及在能谱测量中的应用

研制了一种一维Ｘ射线位置灵敏探测器，位置分辨本领好于１ｍｍ，由该探测器与衍射晶体相结合所组成地低以能Ｘ射线能谱测量系统，对于＾５７Ｃｏ，６．４ｋｅＶ的Ｘ射线，其能量分辨本领好于５０ｅＶ。     

外加直流电场对PdSnOx MIS型氧探测器氧吸附行为影响的研究

研制成了一种新型的Pd-SnOx MIS结构型氧探测器。这种探测器能在室温下探测小于0.1乇的氧分压。本文简扼报告了这种器件的结构、制造工艺和氧吸附与消吸附特性,着重阐述外加直流偏压对器件氧吸附行为的影响。实验结果表明:在实验氧分压范围内,正向直流偏压会抑制器件的氧吸附响应,负向直流偏压会增加器件氧吸附响应。文中还对这种电吸附行为进行了讨论。     

热波在多层膜中的传导模型及其应用

利用动态辐射引起的热波多层膜中的传导的一维模型，讨论了复合结构薄膜热释电探测器的性能。结果表明：在衬底与热释电薄膜之间加入绝热层，是提高多层薄膜热电探测器性能的有效手段；绝热层性能对热释电性能有决定性的影响。     

SMA同轴封装高速光电探测器

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管过对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少～０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。