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951.
基于现场可编程器件的全数字成形滤波器实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究全数字基带成形滤波器的实现.根据数字通信中的基带传输原理,分析基带传输中成形滤波的必要性和几种常见实现方法的优缺点.选择了其中的查表法,并通过采用基于现场可编程门阵列器件的硬件描述语言,对该方法进行了全面的仿真和分析.采用该技术实现的全数字成形滤波器可以针对不同速率及指标在系统中方便地进行修改.符合未来数字通信软件化的趋势,在软件无线电中有广阔的应用前景。  相似文献   
952.
应用于微波电磁场FDTD数值模拟的吸收边界条件   总被引:1,自引:0,他引:1  
在应用FDTD方法模拟复杂空间中微波电磁场分布时,不仅要考虑入射电磁波的贡献,还要考虑反射电磁波的影响。对于后者,一般常采用吸收边界条件的方法予以处理。针对TEM电磁波的传播特点,推导出了一种新的吸收边界条件的表达式,并利用其对微波法金刚石膜沉积系统沉积室中电磁场的分布进行了数值模拟。  相似文献   
953.
米托蒽醌(MX)在0.005mol*L-1 Tris-0.05mol*L-1 NaCl (pH7.1)缓冲溶液中, 在Co离子注入玻碳修饰电极(Co/GCE)上,有一灵敏的伏安还原峰,峰电位为-0.68V,峰电流与MX的浓度在1.8×10-7~9.0×10-6 mol*L-1 间呈线性关系,检出限为9.0×10-8 mol*L-1.将该法用于病人尿样的测定,回收率为94.6%~105.7%. 用线性扫描和循环伏安法研究该体系的电化学行为和电催化.实验表明,体系为不可逆过程.Co/GCE上的电流比GC电极的大,扫速对催化效率的影响实验证明,存在着催化作用.X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)实验表明,Co确实被注入在GC表面,注入的Co催化了MX的还原.  相似文献   
954.
提出了液-固相界面反应的活化能应包含表面吉布斯自由能γ,得到:E0=Eα+βSmγ     (I)    k=k0exp(3MβγρRT.1r)         (II)t0=ρr3-2α0(3-2α)(4π)α-1k0(III)t1=∫t00ρ(4π)α-1k0r2(α-1)exp(-3MβγρRT.1r)( )采用粒径为147μm锡粒与甲基磺酸反应,其t0为t1的几十倍之多,用实验证明了该假定的正确性。  相似文献   
955.
现代计算技术向科学技术研究各个领域渗透, 形成了诸多新兴交叉学科. 在对结晶学发展历史和需要解决的基本科学问题作了分析之后, 基于理论研究、晶体制备实验与数学建模计算三者必须紧密结合、互为依托的认识, 提出了计算结晶学的构想, 并以复杂氧化物晶体体系: 铝-尖晶石晶体为例, 通过选取晶体的基本结构单元, 确定晶体结构的数学表达, 进行生长基元稳定能计算并给出晶体的有利生长基元, 描述晶体生长形态的形成过程等, 阐述了计算结晶学的基本思想与研究方法. 所得到的结论与水热法制备铝-尖晶石晶粒的实验结果一致.  相似文献   
956.
为了实现核电厂反应堆系统流程图的计算机化管理,通过在系统流程图上画出具有记忆功能的网格,利用网格位置和网格信息把系统流程图上的设备与设备库中的相应设备关联起来,解决了系统流程图的活化问题,即在系统流程图上用鼠标点击设备,弹出设备信息。这种网格定位的方法已经有效地应用在核电厂运行安全管理系统中,该系统采用先进的网络和数据库技术实现了对核电厂设备,系统流程图,运行事件等信息的综合管理,以先进的管理方式为核电厂管理人员提供一个便捷的信息平台和工具。而且,这种方法还可以应用到其它领域。  相似文献   
957.
纳米双相钕铁硼永磁合金的织构及磁畴   总被引:3,自引:1,他引:3  
为开发纳米复合永磁材料高磁能积的潜力,用熔体快淬法制备各向异性的纳米双相快淬带。X光衍射结果表明,Nd9Fe85-xNbxB6(x=0,0.5,1.0)快淬带中存在垂直于带面的Nd2Fe14B[00L]织构,其自由面上的织构强于贴辊面。x=1.0时,在15m.s-1的快淬速度下的择优取向度为94%。磁力显微镜观察表明晶粒间存在强烈的交换耦合作用。x=0.5时的快淬带具有较强交换耦合作用及高织构度,因此具有最佳磁性能。其剩余磁极化强度为1.130T,内禀矫顽力为519.8kA.m-1,最大磁能积为121.2kJ.m-3。  相似文献   
958.
L—凸空间中的Ky—Fan极大极小不等式   总被引:1,自引:0,他引:1  
在较为广泛的L—凸空间中利用转移紧闭值,得到了一个关于λ—转移紧上(下)半连续泛函的新的Ky—Fan板大板小不等式,同时给出了与其等价的几何形式。这些定理概括和推广了许多相关结果。  相似文献   
959.
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.  相似文献   
960.
浅谈商标英译的原则与方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
武玉峰 《太原科技》2003,(4):22-22,24
商标翻译是商品对外宣传的重要部分,是商品质量、规格和特点的标志。运用具体实例阐述了商标名称英译的原则与常用的5种方法。  相似文献   
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