分布数据缺失的最优传输研究

针对分布数据缺失情形下的最优传输问题,给出其基本理论以及优化模型,同时考虑到模型的较大稀疏性,基于熵正则化思想提出了一种数据缺失情形下的最优传输的熵正则化算法,最后将其应用于运输问题和图像检索领域,并给出相应的实例,验证了本文算法及其对提出问题的有效性.     

认知无线电网络中的动态权值频谱切换判定算法

为了克服认知无线电网络中衬垫传输覆盖范围的限制,基于对衬垫传输范围的估计,提出了多小区的频谱切换机制。当认知用户超出衬垫传输范围时,采用动态权值调整的简单加权判定算法选择最优目标小区,进行频谱切换,继续保持数据传输。理论分析和仿真结果表明,该方案和算法能够降低认知用户的切换失败概率和服务中断概率,提高认知用户的服务质量。     

基于LSB技术的图像安全传输系统设计

本文结合基于LSB的图像信息隐藏技术和BLOWFISH加密算法,设计了图像安全传输系统,并将系统在校园网环境下进行了应用,系统的信息隐藏功能较好,符合秘密图像安全传输的要求.     

VANET下基于辅助基站优化的网络编码性能分析

车辆自组织网络(vehicular ad hoc networks,VANET)是智能交通领域的研究热点.辅助基站的部署是提高VANET通信性能的一个关键.研究了基于辅助基站优化的网络编码传输性能问题,分析了VANET中保持网络连通性需要的辅助基站数目问题,在此基础之上,提出了一种基于粒子群优化理论的辅助基站位置优化算法,进一步通过NS2仿真对比分析了优化前后采用随机线性网络编码作为传输协议的VANET的传输性能.结果表明,辅助基站优化对基于网络编码的VANET通信性能具有较大的影响,在提高网络投递率的同时,降低了平均传输时延.     

基于抛锚式教学的“微波技术实验”教学方法探讨

阐述了"抛锚式教学模式"的意义及特点并结合"微波技术"课程教学特点,以"阻抗测量"课堂教学实践为重点,具体探讨了抛锚式教学模式在"微波技术实验"课堂实践教学中的具体应用。     

微波加热高碳锰铁粉固相脱碳显微结构

对脱碳物料进行碳含量测定并采用电子探针及X线衍射(XRD)进行显微结构和物相分析。研究结果表明:在实验件下,高碳锰铁粉的碳含量由6.61%分别降至1.54%,1.13%,1.05%,0.94%;脱碳物料的显微结构主要为包裹与镶嵌结构、球形层状结构和实心球形结构,物相组成主要为金属锰、金属锰铁、低碳锰铁碳化物和氧化钙。脱碳温度在900℃时的综合脱碳效果最好,脱碳物料的氧化程度低且无锰酸钙等成分。     

螺噻嗪衍生物的合成及晶体结构

以对甲苯基硫代异氰酸酯、氰乙酰胺和环丁酮为原料,在DMF溶剂中,通过微波辅助多组分一锅两步合成标题化合物.结构经红外光谱、核磁共振和元素分析得以确证,并通过单晶X射线衍射进一步确证,其晶体属于三斜晶系,空间群P-1,a=6.443 4（6）nm,b=11.249 0（12）nm,c=11.352 7（14）nm,α=115.042（2）°,β=104.481（10）°,γ=94.405（10）°,Mr=285.36,V=706.01（13）nm3,Dc=1.342 g cm3,Z=2,μ（MoKα）=0.228mm-1,F（000）=300.晶体结构用直接法解出,使用全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正,最后的偏离因子R=0.051 8,Rw=0.122 6.     

微波法制备木犀草素

报道了在碱性水溶液中,利用微波辐射,以保险粉（Na2S2O4）还原芦丁制备木犀草素的反应。采用功率为250 W条件下,加热回流1 h（20 min×3）,收率67%。与已知方法相比,本法原料易得,操作简单,工艺稳定,反应时间短,收率较好。同时,对微波加热的机制和优点进行了分析和总结。     

微波消解-火焰原子吸收光谱法测定淇河鲫鱼中铅含量

应用微波消解仪和原子吸收分光光度计,采用原子吸收光谱法测定鹤壁特产淇河鲫鱼鱼肉中的铅含量,回收率为93%～108%,相对标准偏差小于10%。对微波消解和原子吸收分光光度法的测定条件进行了探讨和研究。     

超声-微波法合成不同形貌的氧化锌及其光电性质研究

采用超声-微波法结合热转化反应,以Zn5(OH)8(AC)2.2H2O为前驱体,以NaBF4和离子液体C7H13BrN2为导向剂快速合成了带状、棒状和粒状氧化锌光催化剂,并利用XRD和SEM对其结构与形貌进行了表征.测试了3种不同形貌的氧化锌对甲基橙的光催化活性并与商品TiO2(P25)的活性相比较,发现在反应进行390 min后,3种ZnO对甲基橙的降解率分别达到了66.6%、20.5%和66.4%,其中带状和粒状ZnO纳米结构的降解率都远高于TiO2(P25)的降解率28%.研究表明,带状和粒状ZnO纳米结构的高活性与其较高的比表面积有关,而其比表面积又与其形貌及微结构有关.由ZnO纳米带的表面光电压谱发现其光伏响应阈值为3.4 eV,且其表现出p-型半导体特性.