W波段集成谐波振荡器的研制

本文利用集成的形式进行了W波段谐波振荡器的研制工作。该振荡器主要由有源器件,振荡电路,耦合电路,偏置电路,以及波导到微带过渡组成。有源器件采用国产6mm GaAs Gunn二极管,在频率为87.8GHz处,输出功率为0.5mW。     

100MHz低噪声恒温石英晶体振荡器研制

为满足振荡器高频低噪声的要求,设计了一种100 MHz低噪声恒温石英晶体振荡器.该振荡器选用AT切型高Q值无谐波石英谐振器;主振电路采用并联型电路结构;主振管采用Rbb′小,fT高和NF小的低噪声管以达到降噪目的;主振级与输出级之间加入T型匹配网络以增大主振级输出功率;输出级采用并联谐振电路以提高频谱纯度.样品通过测试,其相位噪声为-165 dB/Hz@10 kHz.     

矩形AT切割石英晶体谐振器的振动分析与设计

随着石英体波谐振器向小型化和高性能方向的发展 ,控制晶片中的模式耦合问题便成了保证晶振性能的关键 从R .D .Mindlin的两维方程入手 ,分析了AT切石英晶片中的振动模式 首先得出了无穷大晶片中的色散关系 ,继而又得到了矩形晶片振动频率和长厚比 (晶片的长度与厚度的比值 )、宽厚比 (晶片的宽度与厚度的比值 )之间的关系 ,并与实际生产中所采用的数据进行对比 ,符合得十分好 最后以计算结果为指导 ,举例了一种 4MHz谐振器的分析设计     

石英谐振器阻抗──频率特性分析

从石英谐振器的等效电路出发 ,推导了石英谐振器的串联谐振频率ωs 和并联谐振频率ωp,并指出了石英谐振器与ωs、ωp 有关的阻抗特性     

UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.     

Ipsu薄膜体声波器件及其在通信系统中的应用

薄膜体声波谐振器（FBAR）采用一种先进的谐振技术,它是通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振,这一谐振技术可以用来制作薄膜频率整形器件等先进元器件.本文系统介绍了FBAR的结构、工作原理及其在现代通信系统中的应用.     

微带多耦合SIR带通滤波器的设计

基于微带SIR的特性,提出了一种紧凑的微带多耦合带通滤波器结构,介绍了通过控制微带SIR谐振器的阻抗比值来调整二阶通带中心频率的位置,从而实现二阶杂波抑制和改善滤波器上边阻带衰减特性的原理.最后设计了一个中心频率为3.65 GHz,分数带宽约为3.5%的微带多耦合SIR带通滤波器,仿真表明其频率响应在1阶杂波频点处有-10 dB左右的衰减,使得滤波器在上边阻带的衰减更陡峭,通带更对称.制作的电路在中心频率处的插入损耗测试结果为-3.2 dB,带宽大约为120 MHz,和仿真结果比较一致.     

具有4个传输零点的源-负载耦合滤波器

为了得到高选择性、小尺寸、低损耗和低成本的射频带通滤波器,提出了一种具有4个传输零点的源–负载耦合滤波器的设计方法.该滤波器采用二分之一波长T形多模谐振器,以减小滤波器尺寸和方便带宽设计.同时,根据信号的多路径传输产生零点原理,在滤波器的输入和输出端口之间加入可控耦合元件,为信号的传输提供多条路径,使得该滤波器可产生4个独立于带宽和中心频率的可控零点.文中最后设计和制作了一个带内最小测量插损为1.4dB、相对带宽为10%、具有4个传输零点的小型微带滤波器,并对其进行了测试,测试结果与仿真结果吻合良好,说明这种设计方法是有效的.     

基于SIR和UIR的双通带带通滤波器的设计

基于λ/2的阶跃阻抗谐振器(SIR)和均匀阻抗谐振器(UIR)设计了一个结构紧凑的双通带带通滤波器,并给出了滤波器的等效电路模型.调整SIR和UIR的长度和阻抗实现双通带,折叠SIR和UIR使得滤波器的结构更加紧凑.经仿真优化及实物制作,测试结果表明,该滤波器工作在2.4GHz和5.59GHz,插入损耗分别为1.69dB和4.33dB.该滤波器具有以下优点:尺寸小,结构紧凑,易于设计和制作,可广泛应用于射频前端.     

用一维Mason模型模拟薄膜体声波谐振器研究

采用一维Mason模型,研究体声波谐振器的频率特性,探讨压电薄膜AlN和上电极膜厚对谐振频率的影响,研究谐振区域的面积和声能在衬底中的损耗对品质因数的影响.