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101.
一种新型的共面波导/槽线混合环的研究⒇邢小明王蕴仪(东南大学无线电工程系,南京210018)单面传输线(共面波导、槽线等)没有金属接地背面,金属地与导带处于同一平面上,很容易实现无源或有源固态器件的串并联,也可避免穿孔等,从而降低了工艺的复杂性.所以...  相似文献   
102.
本文利用微波传输线理论,在无耗传输线阻抗圆图的基础上;参考有关教材和资料,概括和总结出有耗传输线阻抗图的构成和使用方法,本文为计算有耗传输线的阻抗和其它参数提供了简便可靠的方法。  相似文献   
103.
基于非对称耦合馈线结构,设计了一种通带内具有单阻带特性的超宽带滤波器.通过调节非对称耦合馈线结构的物理尺寸,能够控制超宽带通带内阻带频率的位置,从而有效减少其他频段的干扰.利用ADS仿真软件对研究设计的超宽带滤波器进行仿真计算,仿真结果表明该滤波器不仅具有良好的通带效果,还具有阻带位置灵活可调的优良特性.  相似文献   
104.
通过建立均匀传输线模型来模拟人工合成超材料的参数提取,并且由该模型的[ABCD]矩阵完整地分析了传输相位信息,从而得到超材料的介电常数和磁导率.研究结果表明:相比目前普遍使用的一阶相位近似方法,本文方法在准确性和使用范围上都有较大幅度的提高.  相似文献   
105.
正N边形同轴传输线族的特性阻抗   总被引:5,自引:5,他引:0  
本文提出用边界元法计算正N边形同辆传输线族静电场边值问题。推导出用边界元法计算正N边形同轴传输线族特性阻抗的计算公式,获得正N边形同轴传输线族的特性阻抗数据,以前从未见报导的正七边形,正八边形同轴传输线的特性阻抗数据也一起给出,并通过数值比较和理论分析证实本文方法的有效性和本文数据结果的正确性,为这类传输线的电磁工程设计提供理论基础和参考数据。  相似文献   
106.
本文以TEM波为基础,用分布参数法建立耦合双导体传输线的电压、电流的微分方程,并进行分析其在正弦稳态下的传播特性。  相似文献   
107.
This paper presents a method based on a sample-decision (SD) circuit to suppress crosstalk and noise for a high-speed and high-density bus system. A method to count the number of times of SD for different length of transmission lines is presented and a bit error rates (BERs) formula is giv- en by the SD circuit. It is shown that for long transmission line systems, multiple SD circuits can improve the BERs significantly. Circuits simulation for single SD method is also done, it is found that when the amplitude peak values of the superposed crosstalk and noise are less than half of the corresponding signal ones, they will be eliminated completely for the cases investigated.  相似文献   
108.
提出一种求解传输线第三类格林函数的方法。首先,用欧姆-瑞利法求出辐射条件下传输线的格林函数;继之,根据参数不同的两对传输线连结处的边界条件,求出波的反射与透入系数;最后,用散射叠加法求得传输线的第三类格林函数。  相似文献   
109.
计算机因散热和装配需要,机箱上会存在大量孔缝结构.孔缝结构在不同辐射源作用下的电磁泄漏直接影响计算机的屏蔽效能.以计算机机箱为研究对象,采用传输线矩阵法(TLM)对机箱孔缝电磁屏蔽效能进行仿真研究.阐述了TLM原理,采用并联节点二维TLM单元和对称凝缩节点(SCN)的三维TLM单元算法进行孔缝建模仿真;并首次提出使用耦合微带线的辐射场作为辐射源,对机箱孔阵、接缝、风扇等结构进行了近场和远场电磁泄漏仿真分析;采用平面波辐射场进行远场电磁干扰的数值仿真.通过对比分析不同辐射源和不同结构的屏蔽效能,发现在两种不同辐射场下导致机箱电磁兼容故障的主要结构相同.通过对机箱结构改进措施的仿真设计,实现了屏蔽性能的改善.  相似文献   
110.
一种Ka频段微带隔离器   总被引:1,自引:0,他引:1  
叙述了一种Ka频段内的微带隔离器,其优点是利用软基片来制成器件,铁氧体圆片可方便地镶嵌入软基片内,最后,在这种器件结构下,可在大于2GHz的带宽内获得小于1.2dB的正向损耗和大于20dB的反向损耗。  相似文献   
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