基于迭代算法的SFBC-OFDM系统

将尾抵消和循环重建应用于空频编码的正交频分复用（SFBC-OFDM）系统中，为了消除循环前缀对空频编码带宽损失的影响，使用了迭代算法来校正接收到的信号．由于采用了尾抵消和循环重建，较之传统的带有循环前缀的空顿编码，带宽效率得到了很大的提高．仿真结果显示，该方法在迭代次数很小时性能便可接近带有循环前缀的SFBC-OFDM系统．     

半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备

B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。     

快充对高功率镍氢电池充电效率的影响研究

比较了各种倍率恒流充电和脉冲充电过程中N i-MH电池的温度和内压,进行了在动力电池工作荷电状态范围内的300周高倍率循环测试,并对循环前后电池正负极电位、储氢合金形貌、循环伏安特性的变化进行了研究.实验结果表明,高倍率充放电循环使电池性能下降的主要原因是负极合金性能的恶化.     

从自然农法看循环农业技术的哲学基础

循环农业是中国现代农业发展的重要阶段，循环农业的技术体系是生态化的技术体系，自然农法是生态化农业技术体系的理论基础。自然农法的思想体系以生态整体观、人与自然和谐观和物质循环观为基础，对建构循环农业技术体系，具有深远的现时代意义。     

微波消解/AAS法测定有效态金属元素

在河流水环境中，沉积物在微量金属的传输和地球化学循环中起重要作用。黄河流域水土流失较为严重，水体中的沉积物通常吸附一些污染物质，尤其以重金属最为突出。由于沉积物中所含的腐殖质、土壤、泥沙、微生物具有微孔表面的作用，在其表面发生一系列的沉淀、吸附、释放等物理化学和生物转化作用，对水中污染物质的自净、降解、迁移、转化等过程起着重要作用。因此，对水体沉积物中有效态金属的监测与研究是当前水质监测工作的重要组成部分。     

调制引入循环平稳的MIMO系统分离与辨识

针对多输入多输出线性时不变系统提出了一种新颖的盲辨识方法。该方法利用了调制产生的二阶循环平稳性，在循环频率域对信号的统计量进行分离，最终将各个系统的冲激响应辨识出来。分别讨论了4输入4输出系统在有加性高斯白噪声时的信道辨识情况．并对算法进行了计算机模拟。     

某一循环流化床锅炉Ⅱ级过热器管材失效分析

利用金相显微镜、扫描电镜（SEM）和定量光谱仪等对465t／h循环流化床（CFB）锅炉Ⅱ级过热器管爆口进行了金相组织分析、宏观及微观形貌观察、材质化学成分以及结构和运行状况分析，探讨了过热器管材的失效原因和机理。结果表明，CFB锅炉内颗粒的冲刷与撞击造成过热器管屏的磨损，磨损引起的壁厚减薄是管材失效的主要原因，磨损机理主要是冲刷磨损和高温腐蚀相结合的冲蚀磨损；管子内压应力与管系应力加速了爆漏过程，是造成过热器管撕裂爆口的次要原因。     

基于盲源分离的无线视频通信研究与仿真

提出了一种多路视频压缩信号在无线信道中的盲源分离解决方案.该方案选用IEEE 802.11b作为无线通信标准及XviD作为MPEG-4视频压缩方法,建立了一个MPEG-4无线视频传输系统及其仿真模型.该模型用盲源分离方法来解决多个视频信号的分离问题.仿真通过多次比较得出一种基于信号循环平稳性的NWCW-CS,其分离效果最佳及收敛速度最快.仿真结果还表明,该算法可以很好地解决视频信号的混叠问题,视频信号由XviD解压后的图像与原先一致,同时满足视频传输的实时性要求.     

由碳还原KMnO4制备氧化锰/碳超级电容材料

以碳粉为还原剂，在酸性条件下与KMnO₄反应制备了粉末状氧化锰/碳复合材料，研究了碳还原剂种类（活性炭、石墨化中间相碳微球和膨胀石墨）以及镍、钴、铒离子对制备的氧化锰/碳粉末结构及电化学性能的影响。采用X-衍射技术和扫描电子显微镜（SEM）分析了氧化锰/碳的结晶结构及表面形态。结果表明，活性炭具有较强的还原能力，氧化锰/碳材料具有良好的电化学电容行为，其中以活性炭为还原剂制备的氧化锰/碳具有较高的电容量，质量比容量达117F/g，掺杂镍、钴后质量比容量达到185F/g。     

共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯...