大型构件射线图像拼接技术

在大型构件内部状态检测数字减影过程中,图像拼接是重要的一步。本文提出的方法能够准确地确定重叠区域,并能够对两幅图像进行无缝拼接。该方法已用在射线图像的拼接,并取得了满意的效果。     

A 65-nm 1-Gb NOR floating-gate flash memory with less than 50-ns access time

This paper presents a 65-nm 1-Gb NOR-type floating-gate flash memory, in which the cell device and chip circuit are developed and optimized. In order to solve the speed problem of giga-level NOR flash in the deep submicron process, the models of long bit-line and word-line are first given, by which the capacitive and resistive loads could be estimated. Based on that, the read path and key modules are optimized to enhance the chip access property and reliability. With the measurement results, the flash memory cell presents good endurance and retention properties, and the macro is operated with 1-las/byte program speed and less than 50-ns read time under 3.3 V supply.     

光电誊影机中FC82专用集成电路的代替方法

研究了利用两种通用集成电路复合替代FC82集成电路的方法,解决了因生产厂家停产,市面无直接代换集成可用而导致的维修难题,且经济适用。     

铅酸电池研究现状

本文简述了铅酸电池的概貌,着重介绍了铅酸蓄电池板栅合金的制造,正板软化脱粉的原因。以及负极和其它方面科学家们所关注研究的问题,较详细地叙述了有关方面的研究动向及提出的改进方法和措施.     

几种莫尔条纹的移动和变化

本文讨论了几种莫尔条纹的移动和变化情况，分析了两排桥栏杆形成的莫尔条纹随观察者移动的情况；平行线栅与波带片状条纹相对移动时莫尔条纹的“吞”“吐”；两簇等间距圆形条纹圆心间距的改变对莫尔条纹的影响     

24通道光路模型

本文提出的24通道光路模型使 OTLIEB 模型得到了改善.由于本模型具有通道阻塞自锁功能,因而完全排除了课表编排过程中一切可能出现的冲突.     

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管

首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件垂直于沟道方向的电场Ez为一非均匀场。理论计算，TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明，通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压，能够得到可以调节的输出特性（增益系数）及转移特性曲线，可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅，并具备低功耗特点。这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性，既可以简化电路的设计，又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度。平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容。     

光折变晶体KNbO3温度效应研究

以光折变效应的带输运模型为基础，研究了高阱密度下温度为光折变晶体折射率主稳态体相位栅效率之间的关系；分析铌酸钾（ＫＮｂＯ３）晶体的温度特性，给出了相应的     

重复过流冲击下IGBT的性能退化研究

实际应用中,功率变流器经常会发生过流,重复的过流冲击会造成其功率器件绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的性能退化,并形成累积损伤,最终导致失效,而突然的失效会带来经济损失和安全问题,故需对重复过流冲击下IGBT的性能退化进行研究,建立相应的在线监测方法.针对目前对IGBT在重复过流下性能退化的研究较欠缺,搭建了过流冲击的实验平台来实现IGBT的重复过流冲击实验;采集重复过流冲击过程中IGBT外部端子的电气量,并提出相应的新的性能退化指标——导通电阻.结果表明:重复过流冲击会造成IGBT的性能退化,影响其外部电气特性;提出的退化指标——导通电阻明显地表征了IGBT内部累积损伤的程度.