GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

一些基本图的〔强〕自同态摹群

确定了一些基本图的〔强〕自同态摹群的基数,并在证明过程中实际上确定了这些摹群的全部元素,同时发现确定一些极其简单的图之自同态摹群却是极其困难的事情,有时甚至导致一些一般的组合难题．     

关于随机截断下半参数回归模型中的相合估计的一点注记

文[1]研究了随机截断下半参数回归模型中的相合估计,但其强相合性的证明有些问题。本文给出了其强相合性的新的证明。     

层状岩体垒积序列差异性SCW-R/S分形模型

依据已有的一些力学分析结果、模型模拟结果和地质体中构造变形破坏的特征,指出层状岩体垒积序列差异性是控制地质体在法向上构造变形破坏的内因.并建立了定量描述它的SCW-R/S分形模型,使得不同地质体的差异性具有定量可比性;同时初步推测了它与构造变形间的表观关系.     

阳离子交换树脂催化合成1—萘乙酸甲酯的研究

本文研究了用强酸性阳离子交换树脂作催化剂,１—萘乙酸和甲醇直接酯化合成１—萘乙酸甲酯的反应。考察了催化剂用量,反应物料配比,反应时间等因素对产率的影响,通过正交实验,找到了较佳反应条件：当催化剂用量为反应液的３％,醇酸摩尔比为２０～３０,在回流温度下反应４小时,酯的收率＞９２％,纯度＞９９％。该法工艺简单,操作方便,无三废污染,适合工业化生产。     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

K1,s-free图的局部Hamiltion连通性

设G是K1,s-free图,如果对每一个顶点v∈V(G),有：K(G[N(V)])≥s一2,(s≥3),那么每一局部导出子图均包含一个Hamiltion路。     

免疫鸡群感染新城疫强毒后排毒规律研究

将经过２次新城疫（ＮＤ）疫苗基础免疫的ＳＰＦ鸡,随机分成５组,每组８只,在６０日龄时分别用Ｆ４８Ｅ８、Ｔｅｘａｓ、Ｈｅｒｔ３３、Ｌａｓｏｔａ等新城疫强毒和弱毒经口腔接种（剂量为０．２５ｍＬ）,１２ｈ后采取泄殖腔棉试样品,利用ＮＤ强毒快速检测试剂盒进行排毒的动态监测,并在攻毒前期、中期、后期各试验组ＳＰＦ鸡的ＨＩ效价。结果发现试验组鸡群中个体在第３天开始排毒,２０ｄ左右排毒结束,其间在６￣７ｄ和１１     

复流形上带权因子的Koppelman—Leray—Norguet公式及其应用

得到复流形上具有逐块Ｃ（１）边界的有界域Ｄ上的（ｐ,ｑ）－形式的带权因子的Ｋｏｐｐｅｌｍａｎ－Ｌｅｒａｙ－Ｎｏｒｇｕｅｔ公式,在适当的假定下得到Ｄ上－方程带权因子的连续解。作为应用,给出Ｓｔｅｉｎ流形上实非退化强拟凸多面体上（ｐ,ｑ）形式的带权因子积分表示式及其－方程的带权因子的连续解．     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。