平面锥形光波导模斑转换器的研究

基于三维有限差分束传输法（FD－BPM）对平面光波导器件中的关键元件之一－平面锥形模斑转换器作了深入的研究，对线性和数种非线性侧面边界的模斑转换器进行了数值仿真和对比，分析了平面锥形模斑转换器侧面边界函数对耦合损耗的影响，以及模斑转换器中模场分布随传输距离的变化，确定了不同长度的平面锥形模斑转换器的最佳侧面边界，指出长度在200－1000μm范围内具有余弦边界的平面锥形模斑转换器性能最佳，并且发现，光纤中的出射光进入模斑转换器以后，光波模式会逐渐发生变化，并最终转化为单模。     

新一类广义强非线性拟-似变分包含问题

在Hilbert空间研究了新一类广义强非线性拟—似变分包含问题，给出了其解的存在唯一性证明，所得结果改进和推广了文献中的一些已知结果。     

玉米淀粉与丙烯酸胺接枝共聚物的制备

本文研究玉米淀粉与丙烯酰胺接枝共聚物的合成工艺及其在造纸工艺中用作干强剂、助留/助滤剂的效果。研究表明玉米淀粉与丙烯酰胺的质量比为5:3.5,引发剂硝酸铈铵用量为0.2g,反应时间为3h,反应温度为62℃,聚合物质量较好。     

Mn∶Fe∶LiNbO3晶体两波耦合温度特性实验研究

本文对 30℃至 1 2 0℃温度范围内的光折变晶体Mn∶Fe∶LiNbO3的前向双光束耦合的温度特性进行了实验研究 .发现在 5 0℃、70℃和 1 0 5℃附近出现异常峰值 .     

强连续余弦算子函数的不可约性

讨论了强连续余弦算子函数的不可约性及其共轭扰动余弦算子函数的不可约性,建立了以下两个结果:1)设(X,‖·‖)为Banach格,{C(t)}t≥0是正的强连续余弦算子函数,B∈B(X,XΘ)是一个正算子,那么,扰动余弦算子函数{CB(t)}t≥0是不可约的充要条件为:J={0}及J=x是仅有的满足C(t)J J,K(λ)J J的闭理想,这里t≥0,K(λ)=R(λ2,AΘ)B.2)设{C(t)}t≥0是Banach格上的具有生成元为A的正余弦算子函数,则以下论断等价:①{C(t)}是不可约的;② 0>0;③对λ>S(A),R(λ2,A)是强不可约的;④对λ>S(A),R(λ2,A)是不可约的.     

空心箔式电抗器高频损耗的计算分析

提出了一种新的等效耦合电路模型，该模型可用于计算分析空心箔式电抗器的阻抗和损耗等参数．采用张量法，成功解决了大规模方程组的求解问题．分析了电力电子中常见频率范围(20～100kHz)内空心箔式电抗器的高频损耗问题，并研究了箔的电导率对线圈的交流有效电阻和直流电阻之比的影响．通过样机的对比分析，证实了本文方法的有效性，从而为空心箔式电抗器的设计计算奠定了基础．     

热作模具钢连轧过程力学参数的有限元分析

采用三维热力耦合弹塑性有限元软件及其接触分析技术，在准确制定相关边界条件基础上对Φ200mm规格的热作模具钢二机架热连轧过程的金属三维流动进行了有限元模拟，准确地计算了力学参数（如轧制力和力矩）的分布情况并对轧辊强度进行了分析，从中确定了安全可行的轧制方案。     

信道化接收机中10～12GHz微带交指滤波器的研究

针对信道化接收机的10～12GHz滤波器，研究微带交指滤波器的实现，提出一种设计微带交指滤波器的方法．根据微带线中电流的对称性，将微带交指滤波器分成互相独立的平行耦合节．通过平行耦合节阻抗综合过程，可以简单、准确地计算出各平行耦合节的参数，从而确定微带交指滤波器的参数，并根据计算结果用ADS进行了软件仿真和优化．该方法设计简单，硬件容易实现．测试结果表明，该方法可行有效，适合于工程应用．     

科学知识社会学的解释学批判--追问SSK理解科学的先见

库恩以解释学为特征的范式理论解构了科学的特权地位，凸现了科学的历史与境性，这使科学知识社会学赢得了合法的学术地位。而强纲领作为科学知识社会学的方法论原则，其核心是以控制为目标的因果型解释模式。科学知识社会学的本体论的解释学蕴涵和方法论的工具理性共同构成了科学知识社会学的先见，二者之间存在的矛盾和张力是导致科学知识社会学一方面取得许多成果，另一方面又面临巨大的理论困难的根源所在。     

NiFe/非磁金属隔离层/FeMn薄膜中的微结构及其对交换耦合的影响

采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场H_ex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的H_ex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的H_ex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, H_ex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, H_ex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, H_ex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而H_ex下降很少.