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941.
设s(c)为双纽线|w2+c|=1的弧长,c∈[0,+∞).本文证明了s″(c)>0,c∈(0,1)∪(1,+∞).最后,我们提出了一个关于s(n)(c)的问题 相似文献
942.
943.
《河南科技大学学报(自然科学版)》2013,(1)
通过在CATIA V5 R19中建立新型弧齿锥齿轮行星传动箱体的三维实体模型,利用ANSYS对齿轮箱体仿真模态分析,得出较为合理的齿轮箱体的有限元模型。利用Block Lanczos法计算出箱体前十阶约束模态的固有频率和相应振型,为箱体后继的动态响应分析提供理论依据。运用此方法可以在箱体设计时避开齿轮箱啮合的频率,避免由于机械振动造成的箱体故障,并且为箱体的优化改进提供理论参考。 相似文献
944.
该文给出有限交换群的2度和3度连通弧传递Cayley有向图的完全分类. 相似文献
945.
李亚林 《西北大学学报(自然科学版)》1998,28(1):83-87
对石界河群岩石化学的研究表明,其形成古构造环境具活动大陆边缘的特点。结合岩浆、变质、变形等作用综合分析,说明石界河群是晚古生代二郎坪弧后盆地向秦岭古岛弧之下俯冲、消减机制下形成的活动性质的陆缘沉积。 相似文献
946.
沸石分子筛膜的合成 总被引:3,自引:1,他引:3
分子筛膜具有优良的反应和分离性能, 可用于高温、高压等苛刻环境, 在膜分离和膜反应等过程中的应用潜力巨大. 迄今为止, 已有多种分子筛膜的制备方法, 包括聚合物嵌入法、原位水热晶化法和二次生长法等. 与原位方法相比, 二次生长法更容易操作, 对晶体取向、微孔结构和膜厚等方面的控制优势明显, 而且重复性也有大幅度提高. 本文总结了分子筛膜的合成方法, 特别着重于最具使用潜力的二次生长法, 对目前存在的晶体取向、缺陷以及晶粒层数等热点问题进行了分析和论述, 提出了分子筛膜制备过程中需要进一步解决的关键问题, 有助于提高分子筛膜制备技术的水平. 相似文献
947.
孙玉泉 《甘肃联合大学学报(自然科学版)》2014,(4):26-29
通过对极坐标公式中用圆弧长近似曲线长度和使用圆柱近似旋转曲面的侧面积时的误差进行定量的分析,说明在使用微元法进行计算时选择正确微元的方法和标准。 相似文献
948.
本文通过对中性点各种不同接地方式的分析,综合考虑多种因素,在满足配电网中性点接地方式运行的要求情况下,提出了中性点接地的发展方向。 相似文献
949.
魏慧敏 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2014,(4):26-28
在文献[3]中,Hoffman等人证明了完全图Kn中最多边不交的Hamilton圈个数为[字].这说明K存在一个定向Ta,使得瓦具有[n-1/2]个弧不相交的Hamilton圈.给出了当n=p和p+1(其中P是一个奇素数)时,一种构造Tn的方法,使用这种方法,可以直接写出Ta的所有弧不相交的Hamilton圈. 相似文献
950.
高温退火处理对TiAlSiN硬质薄膜的微观结构与硬度的影响分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用弧离子增强反应磁控溅射方法, 在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积出具有较高Al, Si含量的TiAlSiN多元硬质薄膜, 研究了不同温度退火后薄膜的微观结构和硬度变化. 结果表明: 由于沉积速率较高和沉积温度较低, 沉积态的TiAlSiN薄膜主要形成非晶结构; 高温退火后, TiAlSiN薄膜由非晶转变为纳米晶/非晶复合结构; 1000℃以下退火后产生的晶体为AlN及TiN; 1100℃以上退火后晶体为TiN, 其余为非晶结构; 1200℃时薄膜发生氧化, 生成Al2O3, 表明TiAlSiN薄膜具有相当高的抗氧化温度. TiAlSiN薄膜随退火温度升高晶粒尺寸逐渐增大, 高温退火后平均晶粒尺寸小于30 nm. 沉积态TiAlSiN薄膜具有较高的显微硬度(HV0.2 N=3300), 但随退火温度的升高, 硬度逐渐降低, 800℃退火后硬度降低至接近TiN硬度值(HV0.2 N=2300). 相似文献