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941.
本文提出了一参数曲线近似弧长参数化的一种三角函数方法,参数曲线的弧长子数用三角函数作保调插值,得到的近弧长参数化曲线插值原参数曲线上后一组点,且曲线在这组点对应的弧长精确等它对应的参数值。 相似文献
942.
溢流坝面明流流动水力特性数值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用正交曲线坐标系下曲率修正的紊注数学模型,计算了龙抬头泄洪洞明流流动的水力要素;计算结果表明,具有明显曲率影响的泄水建筑物反反水流的数值计算,必须计入流线弯曲的影响;本文建立曲率修正紊流为模型较好地预测具有明显曲率影响的复杂水流的水力特性。 相似文献
943.
大面积无衬底自支撑金刚石厚膜沉积 总被引:6,自引:1,他引:5
讨论了在采用直流电弧等离子体喷射CVD工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题,在制备过程中经常出现的膜炸裂现象,主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力,而衬底表面状态的控制、沉积过程中工艺参数的优化和控制也是一个重要的因素,因此,必须对整个金刚石厚膜沉积过程进行严格而系统的控制,团能有效地保证获得无裂纹大面积金刚石自支撑厚膜。 相似文献
944.
介绍了采用计算机数控技术和分流补偿装置的滚凸焊机的设计;分析了焊接主要工艺参数对滚凸焊质量的影响,为保证滚凸焊质量提供了一定的理论依据。 相似文献
945.
为提高焊接自动化程度和焊缝质量,研制了以MCS-51单片机为核心的弧长自动跟踪和自动接触引弧控制系统。该系统利用数理统计法进行弧长采样,省略了采样电路中A/D转换环节,使控制系统不仅有良好控制性能,而且结构简单,抗干扰能力强。采用计算机控制的自动接触引弧技术,引燃可靠,钨电极污染极小,并避免了高频高压引弧对电子线路和环境的危害。 相似文献
946.
947.
采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schottky结特性进行了研究。结果表明85 0℃退火 1m in后已形成 Co Si2 硅化物晶相 ,且结深易于控制。电流特性表明 p型衬底得到了较好的 Schottky结 ,势垒高度为 0 .4 8e V,理想因子为 1.0 9,而 n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大 ,需进一步改进工艺 相似文献
948.
本文介绍了新研制的JBX-861型节电器的工作原理和设计特点,从理论和实验数据两方面论证了采用控制变压器降低弧焊变压器初级电压的最佳节电效果。 相似文献
949.
950.
唐佑君 《系统工程与电子技术》1990,(6)
本文简要介绍了我部自行研制的华宇型点、弧焊机器人计算机控制器的系统结构、技术性能以及系统软硬件的组成。 相似文献