脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。     

聚苯胺的掺杂及其导电性能研究

利用对甲基苯磺酸（ＴＳＡ）和磺基水杨酸（ＳＳＡ）对聚苯胺（ＰＡｎ）进行了掺杂，研究了在掺杂过程中浓度、温度及时间对聚苯胺电导率的影响，并对掺杂态ＰＡｎ在空气中电导率与温度的关系进行了研究，结果表明ＴＳＡ和ＳＳＡ掺杂的ＰＡｎ在研究的温度范围内电导率均随温度的提高而增加。     

DCB材料的无损检测技术研究

ＤＣＢ材料的键合有效面积是影响ＤＣＢ材料质量的关键因素。根据ＤＣＢ材料的特点，将局部放电和介质电容测量技术相结合，应用于检测ＤＣＢ材料键合质量，并从理论上进行了较为系统的研究，获得了较理想的结果，从而发展了一种对ＤＣＢ材料键合质量进行无损检测的、方便实用的新方法。     

瑞典焊接结构材料及焊接材料的发展现状

文章较详细介绍了瑞典近年来在焊接结构材料，包括超级高强度钢和超级不锈钢以及焊接材料，包括超低氢焊条、药芯焊丝和焊接用混合气体等方面的发展状况，为我国赶超世界先进水平提供了参考     

压电材料反平面应变问题的逆解法

对物理连续的压电材料反平面应变问题，提出了一个逆解法，将其机电耦合行为转化为两个完全相互独立的应力和电位移的边值问题，由此得出，凡物理连续的普通材料反平面应变问题的已知结果（剪应力），皆可作为压电材料相应问题的结果，而不必再费力求解．     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性￣①

报道ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体敏感性能的研究，结果表明，含５％ＣｅＯ２和Ｓｉｏ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的选择性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论     

新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能．且有较好的化学稳定性和气敏稳定性     

B_4C在铁基摩擦材料中的作用及机理

通过X射线衍射相分析、光电子谱分析及金相分析等手段，对B4C在铁基摩擦材料中的作用及机理进行了研究，结果表明，B4C在铁基摩擦材料加压烧结过程中能与铁发生反应，生成一种新相Fe2B．在摩擦磨损过程中，加入的B4C并没有直接起到摩擦组元的作用，而是通过生成的Fe2B起作用．在一般负荷工作条件下，Fe2B主要起摩擦组元的作用；在重负荷工作条件下，Fe－Fe2B共晶体起润滑组元的作用．     

小型脉冲MHD发电装置的研究

该文提出一种可供多次实验使用的小型脉冲磁流体发电装置。设计了双磁回路，通道内感应应强度提高到０．７８Ｔ，用火箭发动机的射流作为工作源，进行了发电原理实验，并设计了实验用火箭发动机。该文对用于电磁炮，电热炮的大型ＭＨＤ发电装置具有一定参考价值。     

摩阻材料的研制及其静摩擦因数变化规律

许多实际工况要求在较高压力下，使用静摩擦因数大于０．３５的材料。为此自行设计了两个试验台，测试比较了粉末冶金材料、火焰喷涂材料、等离子辅助沉积材料和等离子喷涂材料的静摩擦因数及其随载荷的变化规律，探讨了粗糙表面与光滑面配对时静摩擦因数变化的机理。静摩擦因数随载荷的变化规律与摩擦副材料的相对硬度有关。粉末冶金材料的静摩擦因数在０．１～０．２之间，并随压力的升高而降低；火焰喷涂材料与软材料配对时静摩擦因数大，与硬材料配对时静摩擦因数小；等离子辅助沉积材料静摩擦因数小，与基体结合强度小；等离子喷涂Ａ１２Ｏ３－ＴｉＯ２材料的静摩擦因数大于０．４。