从文化交流的信息度看专有名词的翻译

从文化交流的信息度方面未研究专有名词的翻译是一个新的角度,在跨文化交际中要提高译名中所传递的文化信息的信息度,首先必须做到保留专有名词的民族性;尽量避免传递错误的文化信息;对于仅使用外延义的源语专有名词,有时也应该在译文中传递其文化背景;而对于兼用内涵义和外延义的专有名词来说,传递这些专有名词所携带的文化信息则显得更为重要,也需要更多的技巧;此外,对于仅使用其内涵义的专有名词而言,保留该专有名词的意义和形象对于提高文化信息传递的信息度都十分重要.     

紫外线吸收剂BAD的合成

以苯酚、丙酮、水杨酸为主要原料合成紫外线吸收剂BAD,并选择了合适的缚酸剂、重结晶溶剂.     

多壁碳纳米管对异甘草素和甘草素的选择性吸附

利用结构相似的异甘草素和甘草素在多壁碳纳米管(MWNTs)上的吸附差别研究了MWNTs的吸附选择性,通过吸附速率试验和等温吸附试验比较了MWNTs对异甘草素和甘草素吸附能力。结果显示,异甘草素和甘草素在MWNTs上的吸附行为符合Langmuir模型,接近于均匀表面上的单层吸附;MWNTs对异甘草素的吸附能力强于对甘草素的吸附。结果表明:多壁碳纳米管对结构相似的异甘草素和甘草素的吸附具有选择性。     

大学数学课堂效益的再认识与思考

课堂效益是衡量资源配置好坏的一个必要参考,也是进一步开展素质教育的重要着力点。笔者通过借鉴西方社会学成熟的理论思路和分析方法,尤其是组织学中关于组织的基本要素、技术和绩效评估等概念,尝试在新的维度下解析当今大学数学课堂中存在的一些教学问题。在对课堂效益的再认识和思考中,笔者界定了课堂效益,提出了评估准则以及规模效益这一经济学概念的延伸。此外,笔者联系大学数学教学实际案例,试图从外延式发展和内涵式发展解释数学课堂规模效益问题。     

具有未知跳跃股票价格异方差性的 Bootstrap模拟检验

采用Bootstrap模拟方法检验股票价格异方差性．利用随机分析方法获得波动率的一个渐进估计，这种估计能够消除股票价格中可能存在的随机跳跃的影响，并且无需确定波动率函数的具体形式、建立了一个关于波动率为常数的原假设的统计量，用Bootstrap模拟方法可以获得该统计量的分布．用此检验方法对中国沪深两市指数进行检验，获得了两市中指数呈异方差性的结论．这种检验方法对认识市场微观结构、资产定价、投资和风险管理都具有积极作用．     

岩土工程勘察常见问题探讨

岩土工程勘察工作研究的主要对象是地基和基础以及地下工程的关系.由于地基土是因地而异的,在接受一项岩土工程勘察任务时,必须明确该工程的主要技术矛盾是什么,需要解决哪些主要技术问题.本文仅就岩土工程勘察存在的问题进行分析,并就相应的强化措施进行探讨.     

浅析个体差异在二语习得中的作用

在二语习得过程中个体差异(如学习动机、性格、语言能力倾向、年龄因素、情感因素、认知风格等)的影响是显而易见的.作者根据在美国学校对美国学生进行汉语教学的实践和体会,对个体差异在汉语作为二语习得中的影响进行了较为深刻的分析,希望能对第二语言的教育教学工作起到抛砖引玉的作用.     

ZnSe-Au杂化纳米晶的制备与表征

为研制新型ZnSe基杂化纳米晶,确定ZnSe-贵金属杂化纳米晶组元间的作用机制,制备出了ZnSe-Au杂化纳米晶.利用X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电子显微镜(TEM)研究了杂化纳米晶的物相组成、形貌和生长机制.利用紫外可见分光光度计及荧光分光光度计对杂化纳米晶的光学性能进行了表征.结果表明:ZnSe-Au杂化纳米晶生长机制为异相形核、外延生长的机制;相对于单独的Au纳米颗粒,杂化纳米晶中Au的局域表面等离子共振吸收被显著红移.由于界面电子转移过程的存在,ZnSe的光致发光猝熄.     

"异"的世界——解读多和田叶子的《入赘的狗女婿》

多和田叶子（YokoTawada）是活跃于世界文坛、具有世界影响力的日本当代女性作家。她的创作风格独树一帜，作品令人回味无穷。其1993年荣获芥川（Akutagawa）作品《入赘的狗女婿》，从女性主义视角看“异”的世界具有独特的艺术魅力，可管窥作家特有的文学理念和生活理念。     

低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性硅外延层生长工艺研究

200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大,易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。本文利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1.0 %,电阻率不均匀性<1.1 %,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。