3-N,N-二甲基-2-乙基-氮杂环丁烯酮开环反应机理的量子化学研究

用半经验AM1方法优化了反应物、过渡态和产物的几何构型,寻找到了反应的过渡态,从理论上论证了标题物异构化反应的机理.计算了反应的活化能,得出了该反应为放热反应的结论.     

基于变处理增益的CDMA多速率方案

CDMA是实现多速率最主要的多址接入技术。针对基于可变处理增益的 CDMA方案 ,分析了不同速率发射功率的控制、信道调制、多址干扰环境下的信噪比和误码率。在 SPW上对多种速率、多个用户的同时传输的误码率特性进行了仿真。     

基于粗糙集的连续属性离散化算法及其应用

为了提高信息系统的相容性、解决离散化过程中阈值以难确定的问题,提出了一种改进的连续属性离散化算法.该算法以信息增益作为属性重要性的度量方法,以基于最小描述长度原理的决策系统信息熵作为离散化过程的评价函数,能够有效地提高离散化速度和精度,并且增强了系统的鲁棒性.仿真结果证明,此算法能够得到满意的离散化结果,是一种能够自动调节阈值的有效算法.     

利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.     

一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器

基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.     

基于系统内部限制的二级倒立摆控制器

倒立摆装置被公认为自动控制理论中的典型试验设备.通过讨论分析开环系统的不稳定极点和零点给闭环系统带来的超调和下冲等一些必然属性,设计了二级倒立摆的控制器.该控制器能有效的减少系统输出的超调和下冲,并使系统有很好的鲁棒稳定性.实验结果表明该控制器可以对二级倒立摆进行有效的控制,说明了设计方法的有效性.     

绘制根轨迹的计算机实现

根轨迹的计算机绘制是为了辅助自动控制原理课程教学,在Windows环境下,利用VB 6.0为写作平台制作的自控原理CAI系列课件之一.本文主要阐述了绘制根轨迹的基本思想、基本算法、软件的实现及应用.     

Ce:KNSBN晶体正交偏振写入光两波耦合特性

研究了Ce:KNSBN晶体在正交偏振光记录条件下体光栅的两波耦合特性.实验测量了两波耦合增益系数随泵浦光偏振方向与入射面夹角φ的变化规律,当夹角φ等于20°或160°时,光栅具有最大耦合增益系数.给出了增益系数随夹角φ变化规律的数值计算结果.数值计算结果与实验测量结果较好地吻合.     

非方阵被控对象闭环增益成形算法及其应用

在被控对象为非方阵的系统中,由于求解控制器时涉及到矩阵求伪逆问题,很大程度上增加了闭环增益成形算法的难度。考虑到此系统的闭环传递函数阵一定是奇异的,将闭环传递函数阵即补灵敏度函数设为奇异阵,设计出鲁棒控制器。将闭环增益成形算法应用于舵阻摇系统。通过观察、分析并比较各仿真曲线,可以看到,航向跟踪效果和减摇效果均较理想。说明设计的控制器具有良好的鲁棒性能和鲁棒稳定性。     

双向WDM星形单跳网双星波长重用扩容

针对可利用的有限波长数对双向WDM星形单跳网网络容量限制问题,提出了一种波长重用的网络扩容方案.该方案结构简单,易于实施;通过波长重用,可扩大网络的节点数——网络容量;在网络节点数不变时,则可减少网络节点的排队时延,增加网络的吞吐量,改善网络的性能;此外,它还可用于双向WDM星形单跳网的网间互连.首先论述波长重用的双向WDM星形单跳网的结构,接着分析网络的波长重用特性,进而对网络结构中所要求的光放大器增益和输出功率进行了计算,最后计算了网络的最大信道波长数和最大节点数.