飞兆半导体推出4.5V-20V IntelliMAX 负载开关

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductot)推出全新的IntelliMAX~(TM)系列器件FPF250X,其输入电压为由4.5V至20V。这些高度集成的负载开关针对潜在的过流损坏提供全面的保护功能,过流损坏会对工业、电信、医疗、笔记本电脑及消费应用等低功耗设计造成影响。FPF250X器件将带有热关断、受控导通和欠压闭锁等保护和控制功能的0.23欧姆限流N沟道MOSFET,集成在节省空间的一个SOT23封装中,     

论血型与代数运算

本文主要运用代数运算的方法来研究血型与输血的关系和血型与遗传的关系,并通过实例加以验证。     

基于浸润原理的并行运算排课系统

基于浸润原理,提出智能化并行运算排课系统的体系结构及数据库设计原理和方法,分析排课程序的处理过程。排课结果充分考虑各方面不同优先级的条件和要求,离最佳结果较为接近。     

Petri网并运算的性质研究

进一步研究了Petri网的并运算，讨论了这种运算保持网的动态及结构性质的条件。     

基于快响应CAD方法的高速电磁开关阀设计

针对高速电磁开关阀电，磁，机，液的耦合特性及铁磁材料磁化过程的非线性，提出了一种新的耦合计算模型，其中非线性电磁子模型用等效电路和内插函数重新表示，并用迭代方法进行同步计算，可较好地解决各子系统之间的耦合问题和非线性问题，用该方法预测的高速电磁开关阀的性能与实验结果吻合良好，实现了高速电磁驱动元件的快响应设计。     

基于声学超晶格铌酸锂的新型体声波器件

设计了一种集成的声学器件。它的基本结构是由下列3部分组成的，即换能器部分、声学开关部分和声传播介质部分，但其材料均来源于铌酸锂晶体。其中换能器与声开关部分是由声学超晶格铌酸锂构成的，而声的传播介质则是单畴铌酸锂。着重研究了声开关部分所外加的直流偏压对在该器件中传播的声波的影响。结果显示：声开关部分对声波的反射率受到这一外加偏压大小的影响，外加偏压越大，则反射率越强；声子带隙也受到外加偏压的影响，外加偏压越大，则声子带隙将会增宽。同时我们还发现了声开关的反射谱分布决定于铌酸锂超晶格的周期大小，且超晶格周期数的减小也会增宽声子带隙。该器件在设计上有两大优点：一是实现了声学开关器件的集成化，二是充分利用了声学超晶格铌酸锂最大的机电耦合系数。     

高精度低功耗带隙电压源设计

设计了一种集成电路中带隙电压参考源。作为IP核集成应用于单芯片集成电路中,提供与温度及电源电压无关的1.22 V电压参考基准。为克服半导体器件本身固有的温度特性,采用正负温度系数相互抵消的方法,设计实现了零温度系数的电压参考源。设计表明,在-45~125°C温度范围内,输出电压温度系数仅为7 ppm/°C,电源抑制比为-75 dB。在5 V电源电压作用下功耗电流为133μA,整个IP核芯片面积为285μm×285μm,采用0.6μm标准CMOS工艺实现。     

不间断供电的计算机开关电源的研制

以设计一种新电脑电源(ATX)—带UPS断电续电功能的电脑电源为目的,从ATX开关电源和不间断电源最优结构的各个模块出发,着力将它们功能相近或相同的模块进行整合共用.测试结果表明该新型电源各参数都符合设计要求,具有性能优良、价格低廉、使用方便、体积小等优点.     

PLC的微分二进制乘法@MLB（052）指令实验的探讨

介绍PLC的微分二进制乘法@MLB（052）指令的实验，先由一个程序为微分二进制乘法@MLB（052）指令完成逻辑乘法运算，来观察010CH、011CH低4位结果及012CH高2住的结果。另一个程序为微分二进制乘法@MLB（052）指令完成逻辑乘法运算，主要观察零结果。     

改进型Boost ZCT-PWM变换器的研究及仿真分析

本文提出了一种改进型的零电流转换-脉宽调制（Zero Current Transition Pulse Width Modulation,ZCT-PWM）Boost变换器。该变换器能在整个变换范围内实现主、辅开关管的零电流转换。各元件的电流和电压应力较典型的零电流开关电路有明显的改善,变换器的效率得到提高。并且特别适用于IGBT作为开关器件的高电压、大功率应用场合。文中将详细分析该变换器的工作原理,并通过实验结果验证理论分析。