控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

由同种材料构成的一维光子晶体的研究

研究了一种由同种介质组成的一维类梳状光子晶体的带结构,发现在这种结构中也存在较大的光子频率带隙,并且带隙的宽度随着分支数目的增加呈现先增大后减小的变化,这主要是因为在光子晶体中,低频率的带隙主要取决于结构的短程序,高频率的带隙则更大程度上取决于长程序,分支数目的增多对结构的短程有序影响比较大,而对长程有序的影响很小。     

自组织系统的非平衡相变临界指数及标度律

在具有普适意义的非平衡相变临界规格化模型基础上,讨论了一般自组织系统中的非平衡定态跃迁相变的临界奇异性和可标度性,导出一组普适的临界指数标度关系及普适类,由之计算出的四组非平衡普适类的临界数值与目前已知的实验及理论结果吻合得非常好.本文还讨论了平衡相变与非平衡相变的临界联系及普适性,将平衡相变临界标度理论的结果作为非平衡相变临界标度理论的理论极限而统一在同一理论体系中.     

L-fuzzy保序算子空间中的ω-Lindel(o)ff可数性质

在L-fuzzy保序算子空间上引入ω-Lindel(o)ff可数性和弱ω-Lindel(o)ff可数性等概念,并系统地研究了它们的基本性质以及它们与第二ω-可数空间之间的关系.证明了ω-Lindel(o)ff性质和弱ω-Lindel(o)ff性质是ω-闭遗传的,而且在(ω1,ω2)-同胚映射下,ω-Lindel(o)ff可数性是不变性质.     

A14（iPrNNiPr）3簇合物的理论研究

用HF／6—31G^*和B3LYP／6—31G^*方法，首次研究了A14(iPrNNiPr)。簇合物的几何构型、电子结构；并在B3LYP／6—31G^*水平下，对所得平衡构型进行了红外光谱及热力学性质计算。结果表明：在此簇合物中Al—N键比氮化铝簇中Al—N键长，但仍在极性共价键的范围内；N—N键都较肼中N—N键明显减弱，易断裂，可释放较多能量，因此它作为生成相应氮化物的前体，将降低反应所需活化能。振动频率计算表明：该簇合物为基态稳定结构。     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

Coolmax织物导湿性能研究

对Coolmax织物的导湿性能进行研究，设计了10种织物试样，分别测试它们的吸湿排汗能力、透湿率、带液率、干燥速率，讨论了同组织结构不同Coolmax含量及紧度对织物导湿性能的影响。     

零对称BZ-代数元素周期的性质

在BZ 代数中引入元素周期的概念 ,并讨论了零对称BZ 代数元素周期的重要性质 .研究表明 ,零对称BZ 代数子系统是一类比BCI/BCK、BCC 代数弱的逻辑代数系统     

卷积积分的几种方法

卷积积分是信号与线性系统课程中的重要运算工具。本介绍卷积积分的图解法和性质法以外，又讨论了卷积积分的定义法和数值计算法。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。