用旋量零标架方法导出带电Schwarzschild黑洞时空中Dirac粒子的能级

用旋量零标架方法对带电Schwarzschild黑洞(Reissner—Nordstrom)时空中旋量粒子的Dirac方程分离变量，并退耦为普通微分方程组，从所获得的径向方程和角向方程出发进一步导出了Dirac粒子的能级方程。     

用柠檬酸溶胶凝胶法合成SrFeCo_(0.5)O_x氧化物

采用柠檬酸溶胶凝胶法合成SrFeCo0 5Ox混合导体氧化物·利用XRD、TEM以及DTA方法研究与分析了不同条件下样品的晶体结构组成、相貌·确定了最佳制备条件·结果说明在燃料剂/氧化剂比例为0 64,550℃时得到单相钙钛矿氧化物,氧化物为纳米球形颗粒,尺寸分布均匀;加热温度升高850℃晶体结构无变化,颗粒尺寸明显长大但是形状不变·同时分析了溶胶凝胶反应过程及影响因素·     

导体表面电荷分布的计算方法研究

给出了描述光滑导体表面电荷分布的边界积分方程，计算了其中的奇异积分，以球体和球冠为例进行了数值求解，与解析解的对比显示结果较好．     

矿物钠快离子导体Na1.2+y Al0.1Yby Zr1.9-y Si0.1P2.9O12系统的研究

精选层状硅铝酸盐矿物高岭石 (Al4[Si4O1 0 ](OH) 8)为起始原料 ,经高温固相反应 (～ 10 0 0℃ )合成了具有架状结构的Na1 .2 +yAl0 .1 YbyZr1 .9-ySi0 .1 P2 .9O1 2 系统 (简称Yb -Nasicon)的钠快离子导体 .XRD分析结果表明 ,当y≤ 0 .7时得到空间群为R3c的合成物 ,当 0 .71.7时出现未知相 .交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明y =1.0的合成物具有最高的离子电导率 ,其在 5 73K和 6 73K时的电导率分别为 1.18S m和 5 .89S m ,473- 6 73K间的电导激活能为 36 .4kJ mol.     

GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

反相胶束软模板法合成Ag2S半导体纳米棒

利用反相胶束软模板法合成了直径30－50nm，长约1.5μm，晶胞常数a=0.423nm,b=0.693nm,c=0.786nm，单斜结构的Ag2S多晶纳米棒，并对纳米棒的产生机理进行了初步探讨。     

纠正一幅静电场中的导体的图像

纠正一幅静电场中的导体的图像梁彦天张丽伟（新乡师范高等专科学校,４５３０００,新乡;第１作者３９岁,男,副教授）图１静电感应示意图１９８１年高考题第１（４）小题［１］给出一幅静电场中的圆锥形导体上感应电荷分布的图像．如图１所示,我们认为：这幅图像是错...     

准一维导体钾蓝青铜的光电子发射谱研究

钾蓝钼青铜Ｋ０．３ＭｏＯ３的导带延拓到Ｆｅｒｍｉ能级以下约３．５ｅＶ，价带位于４－１０ｅＶ之间，除了导带与价带间的能隙不显著外，所测结果基本上符合Ｔｒａｖａｇｌｉｎｉ的模型。     

俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。