强磁场下高临界电流密度的YBa_2Cu_3O_(7-δ)熔融织构法块样的制备及缺陷分布

一、引言 高温氧化物超导体在强电领域应用的主要障碍为临界电流密度较低,这是由多晶材料晶粒间的弱连接所致。为改善弱连接,人们在减少和净化晶界,以及利用氧化物超导体层状导电特性而改变晶胞微观排列方面,做了大量努力。     

直接用电密J计算导体三维涡流场的FE-BE耦合法

提出一种计算导体三维涡流场的FE-BE耦合法．在涡流区中直接采用涡流电密J为求解量的FEM, 其公式采用八节点长方体单元进行离散, 在非涡流区中采用磁场强度H为求解量的BEM, 其公式采用矩形单元离散. 根据交界面条件, 耦合得到一个求解变量仅为J的代数方程组. 该方法的优点就是所求量无需微分, 求解变量少, 耦合容易, 适用于多连域问题．对两个模型进行了计算, 计算结果与测试结果吻合较好.     

高压电气设备绝缘特性带电检测仪信号采集系统的研究

对高压设备绝缘特性带电检测仪信号有集系统的主要组成－电流传感器及波形采集系统进行了研究。阐明了电流传感器的设计思想，提出了波形采集系统的设计方案。讨论了传感器的电路结构及屏蔽措施，给出了在实验室条件下的试验结果。分析是出数据采集速率与带电测试准确度之间的关系。     

确定想象闭合回路的原则——借法拉第定律和楞次定律求断路导体中感应电动势的方法

法拉第电磁感应定律和楞次定律是确定闭合导体回路中，由于磁场变化时感应电动势的大小和方向的两个定律。在借助它们确定非闭合（断路）导体中感应电动势的大小和方向时，通常是采取把断路用虚线连接，构成为一个想像回路的方法。由于想像回路不像闭合导体回路那样、一经确定就是唯一的，而是有任意个可供选择的。对于不同的想像回路，可能会得出不同的结果。通过对实例的分析，讨论动生电动势和感生电动势的两种情形，从而分别给出确定这两种情形想象回路的原则。     

Na5YSi4O12的合成方法比较及其离子导电性质研究

应用交流阻抗谱技术，测定了对用不同方法合成的钠快离子导体Na5YSi4O12纯相的离子电导和离子活化能．用扫描电子显微镜对样品烧结体表面进行了观察，对用溶胶——凝胶法和传统的固相反应法合成的Na5YSi4O12快离子导体与用微波法合成的导体相比，后者具有较好的界面效应和特异的聚集态、缺陷和微结构，从而导致离子导电电活化能下降．     

La2Mo2O9氧离子导体的合成及XPS研究

采用溶胶-凝胶法制备了La2Mo2O9氧离子导体,并利用XRD、X射线光电子能谱对其制备条件和氧物种进行了分析.研究表明,凝胶前驱体在600℃焙烧可以形成La2Mo2O9晶相.提高焙烧温度,有利于晶粒生长和致密化.XPS分析表明,La2Mo2O9中金属离子均处于其最高价态,只有晶格氧物种存在,没有吸附态的氧物种.高温相中各元素的结合能均较低温相高,可能归结于高温相立方结构中金属和氧的键合程度高于其在低温相的键合程度.     

在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算

带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征，寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tbH^-的最低阶(树图级)的散射截面，讨论了散射截面与模型参数tan β和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明：当模型参数tan β在5～40时，散射界面的数量级可达10^-2pb；而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV。