浅议大电流导体并行分布的最小安全距离

本文从电磁原理和通电导体在磁场作用下的受力分析,计算出并行母线的最小间距。并在实际中利用最小间距确定母线的合理分布和固定,保证了母线的牢固性。     

氮化镓的材料与器件

本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第33卷。GaN半导体具有独特的材料性质，这些性质引发了半导体系统光电子和电子器件的研究与开发的极大兴趣。氮化物材料与器件对高功率、高温度应用极为有前途，其主要优点是高电子迁移率和饱和速度、在异质结界面上的高层载流子浓度、高击穿电场及当它们生长在SiC或大量的A1N基片上时的低热阻抗。     

载流导体径向电场的数值估算

应用经典电磁理论,推出了载有恒定电流导体内部存在径向电场的表达式,并对导体内部的径向电场及表面电势进行了估算.结果表明,导体内径向电场是微小的.计算出电流强度为200A,导线截面为1cm2的铜导线,其内部径向电场强度约为1.13×10-6V/m.     

在Bi-Sr-Ca-Cu-O系中110K超导体的制备

在Tl-Ba-Ca-Cu-O(TBCCO)和Bi-Sr-Ca-Cu-O(BSCCO)系中可以分别得到零电阻超导转变温度T_c为120—125K和110K的超导体,是目前T_c最高的两个超导体系。由于Tl剧毒、价格高和易挥发等缺点,导致在该体系研制和未来使用中的某些不便。因此,在某种程度上BSCCO体系受到人们更大的关注。 根据我们和国内外的研究结果,在TBCCO和BSCCO系中超导相及其结构是非常相似的。在BSCCO体系中比较肯定的超导相及其结构如表1。     

两块平行全反射平面之间的电磁真空涨落

考虑了两块平行的全反射平面之间的真空电磁场涨落，计算了真空涨落对带电试验粒子运动的影响，发现两块板的真空涨落对试验粒子运动的影响比一块板的影响更明显、更容易测量。     

导电媒质中圆柱天线电流分布及地电参数对绝缘天线特征量的影响

本文给出了导电媒质中裸圆柱天线和绝缘圆柱天线的电流分布。通过数值计算,分析研究了地电参数对圆柱绝缘天线的电流分布和天线特性阻抗的影响,所得结果对工程应用有一定意义。     

球对称带电蒸发黑洞的非热辐射

本文用Hamilton-Jacobi方程研究了Vaidya-Bonner黑洞视界附近相对论粒子的正负能级交错现象，满足交错条件的粒子可以通过遂道应而形成Starobinsky-Unruh过程。