路径积分及其与黎曼积分的比较

从双缝衍射实验和量子力学的"选择干涉"图像出发,引出了"路径"的概念;借助于"几率幅"求和及与黎曼积分的比较,对路径积分的思想和方法进行了直观的说明.     

类锂离子(Z=9-15)2s和2p态的能级和精细结构

应用MCHF(multi-configuration Hartree Fock)+BP(Breit-Pauli)方法计算了类锂离子(Z=9-15)2s和2p态的精细结构、能级分裂以及相应的光谱跃迁的跃迁几率和gf值.对于F6+离子和Si11+离子,2p态精细结构分裂的计算值误差分别为0.15%和0.96%,2s-2p光谱跃迁的跃迁几率和振子强度的计算值与实验值基本吻合.     

温度对电荷耦合器件的隧穿电阻和隧穿几率的影响

单电子输运器件在集成单电子电路、电学计量和量子信息处理等方面有着广泛的应用前景.金属单电子输运器件具有固定的隧道结,而半导体单电子输运器件则具有可调的隧道结.基于隧穿电阻和隧穿几率的唯象计算公式,详细研究了温度对硅基电荷耦合器件的隧道结的隧穿电阻和隧穿几率的影响,同时讨论了温度和门电压与库仑阻塞条件之间的关系.     

双势垒磁性隧道结中电子的自旋极化输运

 采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的隧穿几率和自旋极化率。结果表明,隧穿几率和自旋极化率随阱宽的增加发生振荡周期不随垒厚变化的周期性振荡;Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了隧穿几率和自旋极化率的振荡频率;隧穿几率和自旋极化率的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。与铁磁/半导体/铁磁（F/S/F）磁性隧道结中的结果相比,发现垒厚的增加增大了隧穿几率和自旋极化率的峰谷比,自旋极化率的取值明显增大,并具有自旋劈裂和自旋翻转现象出现。     

缩热近似下在物质中三代中微子振荡几率

应用微子振荡的基本理论,推导出绝热近似下在物质中三代中微子的质量平方矩阵Ｍ＾２的本征值,物质中的中微子混合矩阵,物质中的中微子振荡几率。     

啁啾激光场对H2+电离及解离的影响

理论研究了两种不同啁啾激光场对H_2~+电离以及解离几率的影响。结果表明:在二阶啁啾场下,H_2~+的电离和解离几率会随着啁啾参数由负向到正向的变化而呈现线性减小。在三阶啁啾场下,H_2~+的电离和解离几率随着啁啾参数的变化呈现‘W’形结构,并且最大电离和解离出现在啁啾参数为0.01处。     

通过纠缠交换来实现两个三态纠缠态粒子的量子几率隐形传态

提出了一种利用纠缠交换的方法来实现一未知的两个三态纠缠态粒子的量子几率隐形传态的方案.在此方案中发送者A lice只要进行两次B e ll态测量,并将测量结果通过经典信道告诉Bob,Bob根据接收到的信息即可通过相应的幺正变换来重建A lice要传输的量子态.     

等离子体光谱源中的电子激发温度的测量

本文简述了现代等离子体光谱激发源中电子激发温度的测量原理与方法,并介绍了低功率氩微波等离子体炬中电子激发温度的主要测量结果。     

液体聚丁二烯的环氧化研究(Ⅱ)——过氧甲酸现场法

采用过氧甲酸现场法 ,合成了一系列具有不同环氧值的液体环氧化聚丁二烯(L EPB) ,研究了温度、溶剂、反应时间和原料配比对环氧化反应的影响规律 ,并通过开环几率和双键反应程度对环氧化反应进行了详细的讨论 .结果表明最佳合成条件为 :甲酸 /双键摩尔比 0 .4;双氧水 /双键摩尔 1 .0 ;甲苯 /LPB重量比 3     

密度泛函方法研究NbSin(n=1～6)团簇

目的研究NbSin(n=1～6)团簇的几何构型及电子结构。方法采用密度泛函理论(DFr)，在UB3LYP／LanL2Dz水平下用Gauss98程序对各构型进行几何优化和频率分析，同时考虑了电子的多重度。结果得到了一系列稳定的NbSin(n=1～6)团簇构型，并计算出了其键长(Nb-Si和Si-Si)、总能量、电子布居和分裂能。结论NbSin(n=1～6)团簇的立体结构比平面结构和直线结构更稳定；每一个n(n=1～6)值所对应最稳定结构中，Nb原子的电子Mulliken净布局和自然布局在Si原子数目小于3时为正值，其余为负值。